是否Rohs认证: | 不符合 | 生命周期: | Obsolete |
零件包装代码: | SOJ | 包装说明: | SOJ, SOJ32,.44 |
针数: | 32 | Reach Compliance Code: | unknown |
ECCN代码: | EAR99 | HTS代码: | 8542.32.00.02 |
风险等级: | 5.35 | Is Samacsys: | N |
访问模式: | FAST PAGE WITH EDO | 最长访问时间: | 60 ns |
其他特性: | RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN REFRESH | I/O 类型: | COMMON |
JESD-30 代码: | R-PDSO-J32 | JESD-609代码: | e0 |
长度: | 20.96 mm | 内存密度: | 67108864 bit |
内存集成电路类型: | EDO DRAM | 内存宽度: | 8 |
功能数量: | 1 | 端口数量: | 1 |
端子数量: | 32 | 字数: | 8388608 words |
字数代码: | 8000000 | 工作模式: | ASYNCHRONOUS |
最高工作温度: | 85 °C | 最低工作温度: | -40 °C |
组织: | 8MX8 | 输出特性: | 3-STATE |
封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY | 封装代码: | SOJ |
封装等效代码: | SOJ32,.44 | 封装形状: | RECTANGULAR |
封装形式: | SMALL OUTLINE | 电源: | 3.3 V |
认证状态: | Not Qualified | 刷新周期: | 8192 |
座面最大高度: | 3.76 mm | 自我刷新: | NO |
最大待机电流: | 0.0005 A | 子类别: | DRAMs |
最大压摆率: | 0.1 mA | 最大供电电压 (Vsup): | 3.6 V |
最小供电电压 (Vsup): | 3 V | 标称供电电压 (Vsup): | 3.3 V |
表面贴装: | YES | 技术: | CMOS |
温度等级: | INDUSTRIAL | 端子面层: | Tin/Lead (Sn/Pb) |
端子形式: | J BEND | 端子节距: | 1.27 mm |
端子位置: | DUAL | 宽度: | 10.16 mm |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
K4E660812D-JI600 | SAMSUNG |
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DRAM | |
K4E660812D-JI60T | SAMSUNG |
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DRAM | |
K4E660812D-JP50T | SAMSUNG |
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DRAM | |
K4E660812D-JP60T | SAMSUNG |
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DRAM | |
K4E660812D-TC45 | SAMSUNG |
获取价格 |
EDO DRAM, 8MX8, 45ns, CMOS, PDSO32, 0.400 INCH, PLASTIC, TSOP2-32 | |
K4E660812D-TC60 | SAMSUNG |
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EDO DRAM, 8MX8, 60ns, CMOS, PDSO32, 0.400 INCH, PLASTIC, TSOP2-32 | |
K4E660812D-TL45 | SAMSUNG |
获取价格 |
EDO DRAM, 8MX8, 45ns, CMOS, PDSO32, 0.400 INCH, PLASTIC, TSOP2-32 | |
K4E660812D-TP600 | SAMSUNG |
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DRAM | |
K4E660812D-TP60T | SAMSUNG |
获取价格 |
DRAM | |
K4E660812E | SAMSUNG |
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8M x 8bit CMOS Dynamic RAM with Extended Data Out |