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K4E660812B-TC600

更新时间： 2024-02-12 12:02:00

品牌	Logo	应用领域
三星 - SAMSUNG		动态存储器光电二极管内存集成电路
页数	文件大小	规格书
21页	416K
描述
EDO DRAM, 8MX8, 65ns, CMOS, PDSO32, 0.400 INCH, PLASTIC, TSOP2-32

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K4E660812B-TC600 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	TSOP2	包装说明：	TSOP2,
针数：	32	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8542.32.00.02
风险等级：	5.92	Is Samacsys：	N
访问模式：	FAST PAGE WITH EDO	最长访问时间：	65 ns
其他特性：	RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN REFRESH/SELF REFRESH	JESD-30 代码：	R-PDSO-G32
长度：	20.95 mm	内存密度：	67108864 bit
内存集成电路类型：	EDO DRAM	内存宽度：	8
功能数量：	1	端口数量：	1
端子数量：	32	字数：	8388608 words
字数代码：	8000000	工作模式：	ASYNCHRONOUS
最高工作温度：	70 °C	最低工作温度：
组织：	8MX8	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装代码：	TSOP2	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE	峰值回流温度（摄氏度）：	240
认证状态：	Not Qualified	座面最大高度：	1.2 mm
自我刷新：	YES	最大供电电压 (Vsup)：	3.6 V
最小供电电压 (Vsup)：	3 V	标称供电电压 (Vsup)：	3.3 V
表面贴装：	YES	技术：	CMOS
温度等级：	COMMERCIAL	端子形式：	GULL WING
端子节距：	1.27 mm	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	30	宽度：	10.16 mm
Base Number Matches：	1

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K4E660812B,K4E640812B

CMOS DRAM

PACKAGE DIMENSION

32 SOJ 400mil

Units : Inches (millimeters)

#32

0.006 (0.15)

0.012 (0.30)

0.027 (0.69)

MIN

0.841 (21.36)

MAX

0.820 (20.84)

0.830 (21.08)

0.0375 (0.95)

0.050 (1.27)

0.026 (0.66)

0.032 (0.81)

0.015 (0.38)

0.021 (0.53)

32 TSOP(II) 400mil

Units : Inches (millimeters)

0.004 (0.10)

0.010 (0.25)

0.841 (21.35)

MAX

0.821 (20.85)

0.829 (21.05)

0.047 (1.20)

MAX

0.010 (0.25)

TYP

0.002 (0.05)

0.037 (0.95)

0.050 (1.27)

MIN

0.012 (0.30)

0.020 (0.50)

0~8

0.018 (0.45)

0.030 (0.75)

1...18 19 2021

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