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K4E660811D-JC500

更新时间： 2023-08-15 00:00:00

品牌	Logo	应用领域
三星 - SAMSUNG		动态存储器光电二极管
页数	文件大小	规格书
21页	413K
描述
EDO DRAM, 8MX8, 50ns, CMOS, PDSO32, SOJ-32

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K4E660811D,K4E640811D

CMOS DRAM

HYPER PAGE READ-MODIFY-WRITE CYCLE

tRP

tRASP

tCP

VIH -

tCSH

tRSH

RAS

VIL -

tHPRWC

tCRP

tRCD

tCRP

VIH -

tCAS

tRAL

CAS

VIL -

tRAD

tRAH

tCAH

tASR

tASC

VIH -

ROW

COL.

ADDR

COL.

ADDR

VIL -

tRWL

tCWL

tRCS

tCWL

VIH -

VIL -

tWP

tCWD

tAWD

tRWD

tCWD

tAWD

tCPWD

VIH -

VIL -

tOEA

tOED

tCAC

tDH

tAA

tOEZ

tDS

DQ0 ~ DQ3(7)

tRAC

tCLZ

VI/OH -

VI/OL -

tCLZ

VALID

tOLZ

VALID

DATA-OUT

VALID

DATA-OUT

VALID

DATA-IN

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Undefined

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