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K4E660811D-TC600

更新时间： 2024-01-29 11:11:43

品牌	Logo	应用领域
三星 - SAMSUNG		动态存储器光电二极管内存集成电路
页数	文件大小	规格书
21页	413K
描述
EDO DRAM, 8MX8, 60ns, CMOS, PDSO32, TSOP2-32

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K4E660811D-TC600 技术参数

生命周期：	Active	包装说明：	TSOP2,
Reach Compliance Code：	compliant	风险等级：	5.73
访问模式：	FAST PAGE WITH EDO	最长访问时间：	60 ns
其他特性：	RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN REFRESH	JESD-30 代码：	R-PDSO-G32
长度：	20.95 mm	内存密度：	67108864 bit
内存集成电路类型：	EDO DRAM	内存宽度：	8
功能数量：	1	端口数量：	1
端子数量：	32	字数：	8388608 words
字数代码：	8000000	工作模式：	ASYNCHRONOUS
最高工作温度：	70 °C	最低工作温度：
组织：	8MX8	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装代码：	TSOP2	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE	座面最大高度：	1.2 mm
最大供电电压 (Vsup)：	5.5 V	最小供电电压 (Vsup)：	4.5 V
标称供电电压 (Vsup)：	5 V	表面贴装：	YES
技术：	CMOS	温度等级：	COMMERCIAL
端子形式：	GULL WING	端子节距：	1.27 mm
端子位置：	DUAL	宽度：	10.16 mm
Base Number Matches：	1

K4E660811D-TC600 数据手册

K4E660811D,K4E640811D

CMOS DRAM

8M x 8bit CMOS Dynamic RAM with Extended Data Out

DESCRIPTION

This is a family of 8,388,608 x 8 bit Extended Data Out Mode CMOS DRAMs. Extended Data Out Mode offers high speed random

access of memory cells within the same row. Refresh cycle(4K Ref. or 8K Ref.), access time (-50 or -60), package type (SOJ or TSOP-

II) are optional features of this family. All of this family have CAS-before-RAS refresh, RAS-only refresh and Hidden refresh capabilities.

This 8Mx8 EDO Mode DRAM family is fabricated using Samsung¢s advanced CMOS process to realize high band-width, low power con-

sumption and high reliability.

FEATURES

• Extended Data Out Mode operation

• Part Identification

- K4E660811D-JC(5.0V, 8K Ref., SOJ)

- K4E640811D-JC(5.0V, 4K Ref., SOJ)

- K4E660811D-TC(5.0V, 8K Ref., TSOP)

- K4E640811D-TC(5.0V, 4K Ref., TSOP)

• CAS-before-RAS refresh capability

• RAS-only and Hidden refresh capability

• Fast parallel test mode capability

• TTL(5.0V) compatible inputs and outputs

• Early Write or output enable controlled write

• JEDEC Standard pinout

• Active Power Dissipation

• Available in Plastic SOJ and TSOP(II) packages

• +5.0V±10% power supply

Unit : mW

Speed

-50

495

440

660

605

-60

• Refresh Cycles

FUNCTIONAL BLOCK DIAGRAM

Part

NO.

Refresh

cycle

Refresh time

Normal

RAS

CAS

Vcc

Vss

K4E660811D*

K4E640811D

64ms

Control

Clocks

VBB Generator

* Access mode & RAS only refresh mode

: 8K cycle/64ms

CAS-before-RAS & Hidden refresh mode

: 4K cycle/64ms

Row Decoder

Refresh Timer

Refresh Control

Data in

Buffer

Memory Array

8,388,608 x 8

Cells

DQ0

DQ7

Refresh Counter

Row Address Buffer

Col. Address Buffer

• Performance Range

Speed

Data out

Buffer

tRAC

50ns

60ns

tCAC

13ns

15ns

tRC

tHPC

20ns

25ns

A0~A12

(A0~A11)*1

-50

-60

84ns

104ns

A0~A9

(A0~A10)*1

Column Decoder

Note) *1 : 4K Refresh

SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD. reserves the right to

change products and specifications without notice.

12 3 4 5 6 7...21

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与K4E660811D-TC600相关器件

型号	品牌	描述	获取价格	数据表
K4E660812B	SAMSUNG	8M x 8bit CMOS Dynamic RAM with Extended Data Out	获取价格
K4E660812B-TC450	SAMSUNG	EDO DRAM, 8MX8, 50ns, CMOS, PDSO32, 0.400 INCH, PLASTIC, TSOP2-32	获取价格
K4E660812B-TC600	SAMSUNG	EDO DRAM, 8MX8, 65ns, CMOS, PDSO32, 0.400 INCH, PLASTIC, TSOP2-32	获取价格
K4E660812C	SAMSUNG	8M x 8bit CMOS Dynamic RAM with Extended Data Out	获取价格
K4E660812C-JC450	SAMSUNG	EDO DRAM, 8MX8, 45ns, CMOS, PDSO32, 0.400 INCH, PLASTIC, SOJ-32	获取价格
K4E660812C-JC50	SAMSUNG	EDO DRAM, 8MX8, 50ns, CMOS, PDSO32, 0.400 INCH, PLASTIC, SOJ-32	获取价格

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