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K4E660411D-TC50T

更新时间： 2024-01-02 04:14:43

品牌	Logo	应用领域
三星 - SAMSUNG		存储内存集成电路光电二极管动态存储器
页数	文件大小	规格书
21页	412K
描述
EDO DRAM, 16MX4, 50ns, CMOS, PDSO32

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K4E660411D-TC50T 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
包装说明：	TSOP, TSOP32,.46	Reach Compliance Code：	unknown
风险等级：	5.92	最长访问时间：	50 ns
I/O 类型：	COMMON	JESD-30 代码：	R-PDSO-G32
JESD-609代码：	e0	内存密度：	67108864 bit
内存集成电路类型：	EDO DRAM	内存宽度：	4
端子数量：	32	字数：	16777216 words
字数代码：	16000000	最高工作温度：	70 °C
最低工作温度：		组织：	16MX4
输出特性：	3-STATE	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装代码：	TSOP	封装等效代码：	TSOP32,.46
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE
电源：	5 V	认证状态：	Not Qualified
刷新周期：	8192	自我刷新：	NO
最大待机电流：	0.001 A	子类别：	DRAMs
最大压摆率：	0.12 mA	标称供电电压 (Vsup)：	5 V
表面贴装：	YES	技术：	CMOS
温度等级：	COMMERCIAL	端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：	GULL WING	端子节距：	1.27 mm
端子位置：	DUAL	Base Number Matches：	1

K4E660411D-TC50T 数据手册

K4E660411D,K4E640411D

CMOS DRAM

16M x 4bit CMOS Dynamic RAM with Extended Data Out

DESCRIPTION

This is a family of 16,777,216 x 4 bit Extended Data Out Mode CMOS DRAMs. Extended Data Out Mode offers high speed random

access of memory cells within the same row. Refresh cycle(4K Ref. or 8K Ref.), access time ( -50, or -60), package type (SOJ or TSOP-

II) are optional features of this family. All of this family have CAS-before-RAS refresh, RAS-only refresh and Hidden refresh capabilities.

This 16Mx4 EDO Mode DRAM family is fabricated using Samsung¢s advanced CMOS process to realize high band-width, low power

consumption and high reliability.

FEATURES

• Extended Data Out Mode operation

• Part Identification

• CAS-before-RAS refresh capability

• RAS-only and Hidden refresh capability

• Fast parallel test mode capability

• TTL(5.0V) compatible inputs and outputs

• Early Write or output enable controlled write

• JEDEC Standard pinout

- K4E660411D-JC(5.0V, 8K Ref., SOJ)

- K4E640411D-JC(5.0V, 4K Ref., SOJ)

- K4E660411D-TC(5.0V, 8K Ref., TSOP)

- K4E640411D-TC(5.0V, 4K Ref., TSOP)

• Active Power Dissipation

• Available in Plastic SOJ and TSOP(II) packages

• +5.0V±10% power supply

Unit : mW

Speed

-50

495

440

660

605

-60

• Refresh Cycles

Part

NO.

Refresh

cycle

Refresh time

Normal

FUNCTIONAL BLOCK DIAGRAM

K4E660411D*

K4E640411D

64ms

RAS

CAS

Vcc

Vss

Control

Clocks

VBB Generator

* Access mode & RAS only refresh mode

: 8K cycle/64ms

CAS-before-RAS & Hidden refresh mode

: 4K cycle/64ms

Row Decoder

Refresh Timer

Data in

Buffer

Refresh Control

Refresh Counter

Memory Array

16,777,216 x 4

Cells

DQ0

DQ3

• Performance Range

Speed

Data out

Buffer

Row Address Buffer

Col. Address Buffer

tRAC

50ns

60ns

tCAC

13ns

15ns

tRC

tPC

A0~A12

(A0~A11)*1

-50

-60

84ns

104ns

20ns

25ns

A0~A10

(A0~A11)*1

Column Decoder

Note) *1 : 4K Refresh

SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD. reserves the right to

change products and specifications without notice.

12 3 4 5 6 7...21

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
K4E660411D-TC60	SAMSUNG	获取价格	16M x 4bit CMOS Dynamic RAM with Extended Data Out
K4E660411D-TC60T	SAMSUNG	获取价格	EDO DRAM, 16MX4, 60ns, CMOS, PDSO32
K4E660412C-TL600	SAMSUNG	获取价格	EDO DRAM, 16MX4, 60ns, CMOS, PDSO32, 0.400 INCH, PLASTIC, TSOP2-32
K4E660412D	SAMSUNG	获取价格	16M x 4bit CMOS Dynamic RAM with Extended Data Out
K4E660412D-JL600	SAMSUNG	获取价格	EDO DRAM, 16MX4, 60ns, CMOS, PDSO32, 0.400 INCH, PLASTIC, SOJ-32
K4E660412D-TC450	SAMSUNG	获取价格	EDO DRAM, 16MX4, 45ns, CMOS, PDSO32, 0.400 INCH, PLASTIC, TSOP2-32
K4E660412D-TC500	SAMSUNG	获取价格	EDO DRAM, 16MX4, 50ns, CMOS, PDSO32, 0.400 INCH, PLASTIC, TSOP2-32
K4E660412D-TC600	SAMSUNG	获取价格	EDO DRAM, 16MX4, 60ns, CMOS, PDSO32, 0.400 INCH, PLASTIC, TSOP2-32
K4E660412D-TI60	SAMSUNG	获取价格	EDO DRAM, 16MX4, 60ns, CMOS, PDSO32, 0.400 INCH, PLASTIC, TSOP2-32
K4E660412D-TL450	SAMSUNG	获取价格	EDO DRAM, 16MX4, 45ns, CMOS, PDSO32, 0.400 INCH, PLASTIC, TSOP2-32

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