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K3P4U1000E-TC12 PDF预览

K3P4U1000E-TC12

更新时间： 2024-11-25 21:14:43
品牌 Logo 应用领域
三星 - SAMSUNG 有原始数据的样本ROM光电二极管内存集成电路
页数 文件大小 规格书
4页 36K
描述
MASK ROM, 512KX16, 120ns, CMOS, PDSO44, 0.400 INCH, TSOP2-44

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K3P4U1000E-TC12 技术参数

是否无铅： 含铅是否Rohs认证： 不符合
生命周期：Obsolete零件包装代码：TSOP2
包装说明：TSOP2, TSOP44,.46,32针数：44
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
HTS代码：8542.32.00.71风险等级：5.92
最长访问时间：120 ns备用内存宽度：8
JESD-30 代码：R-PDSO-G44JESD-609代码：e0
长度：18.41 mm内存密度：8388608 bit
内存集成电路类型：MASK ROM内存宽度：16
功能数量：1端子数量：44
字数：524288 words字数代码：512000
工作模式：ASYNCHRONOUS最高工作温度：70 °C
最低工作温度：组织：512KX16
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装代码：TSOP2
封装等效代码：TSOP44,.46,32封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE, THIN PROFILE并行/串行：PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED电源：3 V
认证状态：Not Qualified座面最大高度：1.2 mm
最大待机电流：0.00003 A子类别：MASK ROMs
最大压摆率：0.035 mA最大供电电压 (Vsup)：3.3 V
最小供电电压 (Vsup)：2.7 V标称供电电压 (Vsup)：3 V
表面贴装：YES技术：CMOS
温度等级：COMMERCIAL端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：GULL WING端子节距：0.8 mm
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
宽度：10.16 mmBase Number Matches：1

K3P4U1000E-TC12 数据手册

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K3P4V(U)1000E-TC  
CMOS MASK ROM  
8M-Bit (1Mx8 / 512Kx16) CMOS MASK ROM  
FEATURES  
GENERAL DESCRIPTION  
· Switchable organization  
The K3P4V(U)1000E-TC is a fully static mask programmable  
ROM fabricated using silicon gate CMOS process technology,  
and is organized either as 1,048,576 x 8(byte mode) or as  
524,288 x 16(word mode) depending on BHE voltage level.(See  
mode selection table)  
1,048,576 x 8(byte mode)  
524,288 x 16(word mode)  
· Fast access time  
Random Access Time/Page Access Time  
3.3V Operation : 100/30ns(Max.)@CL=50pF,  
120/40ns(Max.)@CL=100pF  
3.0V Operation : 120/40ns(Max.)@CL=100pF  
4 Words / 8 Bytes page access  
· Supply voltage : single +3.0V/ single +3.3V  
· Current consumption  
This device includes page read mode function, page read mode  
allows 4 words (or 8 bytes) of data to read fast in the same  
page, CE and A2 ~ A18 should not be changed.  
This device operates with 3.0V or 3.3V power supply, and all  
inputs and outputs are TTL compatible.  
Operating : 40mA(Max.)  
Standby : 30 mA(Max.)  
Because of its asynchronous operation, it requires no external  
clock assuring extremely easy operation.  
· Fully static operation  
· All inputs and outputs TTL compatible  
· Three state outputs  
It is suitable for use in program memory of microprocessor, and  
data memory, character generator. The K3P4V(U)1000E-TC is  
packaged in a 44-TSOP2.  
· Package  
-. K3P4V(U)1000E-TC : 44-TSOP2-400  
FUNCTIONAL BLOCK DIAGRAM  
PIN CONFIGURATION  
A18  
X
MEMORY CELL  
MATRIX  
(524,288x16/  
1,048,576x8)  
N.C  
A18  
A17  
A7  
N.C  
N.C  
A8  
1
2
44  
43  
42  
BUFFERS  
AND  
.
.
.
.
.
.
.
.
3
DECODER  
4
41 A9  
A6  
5
40 A10  
A5  
A11  
39  
6
Y
SENSE AMP.  
DATA OUT  
BUFFERS  
A4  
7
38 A12  
37 A13  
BUFFERS  
AND  
A3  
8
A14  
36  
A2  
A1  
9
A2  
DECODER  
10  
11  
35 A15  
A0~A1  
A-1  
A0  
34 A16  
TSOP2  
CE 12  
VSS 13  
OE 14  
Q0 15  
Q8 16  
33 BHE  
32 VSS  
31 Q15/A-1  
.
.
.
CE  
Q7  
30  
Q0/Q8  
Q7/Q15  
CONTROL  
LOGIC  
OE  
29 Q14  
28 Q6  
Q1  
17  
18  
BHE  
Q9  
Q13  
Q5  
27  
26  
Q2 19  
Q10 20  
Q3 21  
Pin Name  
A0 - A1  
Pin Function  
25 Q12  
24 Q4  
Page Address Inputs  
Address Inputs  
Data Outputs  
Q11  
22  
23 VCC  
A2 - A18  
Q0 - Q14  
Q15 /A-1  
K3P4V(U)1000E-TC  
Output 15(Word mode)/  
LSB Address(Byte mode)  
BHE  
CE  
Word/Byte selection  
Chip Enable  
Output Enable  
Power  
OE  
VCC  
VSS  
Ground  
1234

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与K3P4U1000E-TC12相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
K3P4U1000F-TC SAMSUNG

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 		MASK ROM
K3P4U1000F-TC12 SAMSUNG

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 		MASK ROM, 512KX16, 120ns, CMOS, PDSO44
K3P4U1000F-TE SAMSUNG

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 		MASK ROM
K3P4U1000F-TE12 SAMSUNG

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 		MASK ROM, 512KX16, 120ns, CMOS, PDSO44
K3P4V1000D-DC10 SAMSUNG

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 		MASK ROM, 512KX16, 100ns, CMOS, PDIP42, 0.600 INCH, DIP-42
K3P4V1000D-DC100 SAMSUNG

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 		暂无描述
K3P4V1000D-GC10 SAMSUNG

获取价格

 		MASK ROM, 512KX16, 100ns, CMOS, PDSO44, 0.600 INCH, SOP-44
K3P4V1000D-GC100 SAMSUNG

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 		MASK ROM, 512KX16, 100ns, CMOS, PDSO44, 0.600 INCH, SOP-44
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 		MASK ROM, 512KX16, 100ns, CMOS, PDSO44, 0.400 INCH, TSOP2-44
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