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K3P5C1000D-DC120

更新时间： 2024-01-12 02:36:22
品牌 Logo 应用领域
三星 - SAMSUNG 有原始数据的样本ROM光电二极管内存集成电路
页数 文件大小 规格书
4页 67K
描述
MASK ROM, 1MX16, 120ns, CMOS, PDIP42, 0.600 INCH, DIP-42

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K3P5C1000D-DC120 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：DIP包装说明：DIP,
针数：42Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99HTS代码：8542.32.00.71
风险等级：5.92最长访问时间：120 ns
备用内存宽度：8JESD-30 代码：R-PDIP-T42
长度：52.42 mm内存密度：16777216 bit
内存集成电路类型：MASK ROM内存宽度：16
功能数量：1端子数量：42
字数：1048576 words字数代码：1000000
工作模式：ASYNCHRONOUS最高工作温度：70 °C
最低工作温度：组织：1MX16
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装代码：DIP
封装形状：RECTANGULAR封装形式：IN-LINE
并行/串行：PARALLEL峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
认证状态：Not Qualified座面最大高度：5.08 mm
最大供电电压 (Vsup)：5.5 V最小供电电压 (Vsup)：4.5 V
标称供电电压 (Vsup)：5 V表面贴装：NO
技术：CMOS温度等级：COMMERCIAL
端子形式：THROUGH-HOLE端子节距：2.54 mm
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
宽度：15.24 mmBase Number Matches：1

K3P5C1000D-DC120 数据手册

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K3P5C1000D-D(G)C  
CMOS MASK ROM  
16M-Bit (2Mx8 /1Mx16) CMOS MASK ROM  
FEATURES  
GENERAL DESCRIPTION  
· Switchable organization  
2,097,152 x 8(byte mode)  
1,048,576 x 16(word mode)  
· Fast access time  
Random Access : 100ns(Max.)  
Page Access  
8 Words / 16 Bytes page access  
· Supply voltage : single +5V  
· Current consumption  
The K3P5C1000D-D(G)C is a fully static mask programmable  
ROM fabricated using silicon gate CMOS process technology,  
and is organized either as 2,097,152 x 8 bit(byte mode) or as  
1,048,576 x 16 bit(word mode) depending on BHE voltage  
level.(See mode selection table)  
: 30ns(Max.)  
This device includes page read mode function, page read mode  
allows 8 words (or 16 bytes) of data to read fast in the same  
page, CE and A3 ~ A19 should not be changed.  
This device operates with a 5V single power supply, and all  
inputs and outputs are TTL compatible.  
Operating : 150mA(Max.)  
Standby : 50mA(Max.)  
· Fully static operation  
· All inputs and outputs TTL compatible  
· Three state outputs  
· Package  
-. K3P5C1000D-DC : 42-DIP-600  
-. K3P5C1000D-GC : 44-SOP-600  
Because of its asynchronous operation, it requires no external  
clock assuring extremely easy operation.  
It is suitable for use in program memory of microprocessor, and  
data memory, character generator.  
The K3P5C1000D-DC is packaged in a 42-DIP and the  
K3P5C1000D-GC in a 44-SOP.  
FUNCTIONAL BLOCK DIAGRAM  
PIN CONFIGURATION  
A19  
X
MEMORY CELL  
MATRIX  
(1,048,576x16/  
2,097,152x8)  
BUFFERS  
AND  
DECODER  
.
.
.
.
.
.
.
.
1
2
42  
A18  
A19  
41 A8  
40  
N.C  
N.C  
1
2
44  
43  
42  
41  
40  
39  
38  
37  
36  
35  
34  
33  
32  
31  
30  
29  
28  
27  
26  
25  
24  
23  
A17  
A7  
A18  
A19  
3
A9  
39 A10  
A17  
A8  
3
4
A6  
A5  
A4  
A3  
A7  
4
A9  
5
38  
37  
36  
35  
34  
33  
32  
31  
30  
A11  
A12  
A6  
A10  
A11  
A12  
A13  
5
Y
SENSE AMP.  
6
A5  
6
BUFFERS  
AND  
DECODER  
7
A13  
A14  
A15  
A4  
7
DATA OUT  
BUFFERS  
8
A2  
A1  
A3  
8
A3  
9
A
14  
15  
16  
A2  
9
10  
11  
12  
13  
14  
15  
16  
A0  
A16  
BHE  
VSS  
A1  
A
10  
11  
12  
13  
14  
15  
16  
17  
18  
19  
A0~A2  
A-1  
CE  
VSS  
OE  
Q0  
. . .  
A0  
A
DIP  
BHE  
CE  
SOP  
Q15/A-1  
CE  
VSS  
VSS  
29 Q7  
Q0/Q8  
Q7/Q15  
CONTROL  
LOGIC  
OE  
Q
Q
15/A-1  
7
OE  
28  
Q8  
Q14  
Q0  
Q1  
27  
26  
25  
24  
23  
22  
Q6  
BHE  
Q8  
Q14  
Q9 17  
Q13  
Q5  
Q
1
Q6  
18  
Q2  
Q9  
Q13  
19  
Q10  
Q12  
Q4  
20  
21  
Q5  
Q
2
Q3  
Pin Name  
A0 - A2  
Pin Function  
Page Address Inputs  
Q10 20  
Q
12  
Q11  
VCC  
Q4  
Q3  
21  
22  
Q11  
A3 - A19  
Q0 - Q14  
Address Inputs  
VCC  
Data Outputs  
K3P5C1000D-DC  
Output 15(Word mode)/  
LSB Address(Byte mode)  
Q15 /A-1  
K3P5C1000D-GC  
BHE  
CE  
Word/Byte selection  
Chip Enable  
Output Enable  
Power ( +5V)  
Ground  
OE  
VCC  
VSS  
N.C  
No Connection  
1234

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与K3P5C1000D-DC120相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
K3P5C1000D-DC15 SAMSUNG

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 		MASK ROM, 1MX16, 150ns, CMOS, PDIP42, 0.600 INCH, DIP-42
K3P5C1000D-DC150 SAMSUNG

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 		MASK ROM, 1MX16, 150ns, CMOS, PDIP42, 0.600 INCH, DIP-42
K3P5C1000D-GC100 SAMSUNG

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 		MASK ROM, 1MX16, 100ns, CMOS, PDSO44, 0.600 INCH, SOP-44
K3P5C1000D-GC120 SAMSUNG

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 		MASK ROM, 1MX16, 120ns, CMOS, PDSO44, 0.600 INCH, SOP-44
K3P5C1000D-GC150 SAMSUNG

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 		MASK ROM, 1MX16, 150ns, CMOS, PDSO44, 0.600 INCH, SOP-44
K3P5C1000F-DC10 SAMSUNG

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K3P5C1000F-GC10 SAMSUNG

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 		MASK ROM, 1MX16, 100ns, CMOS, PDSO44, 0.600 INCH, SOP-44
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