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K3N3U1000D-GC120

更新时间： 2024-01-22 08:05:34
品牌 Logo 应用领域
三星 - SAMSUNG 有原始数据的样本ROM光电二极管内存集成电路
页数 文件大小 规格书
3页 47K
描述
MASK ROM, 256KX16, 120ns, CMOS, PDSO40, 0.525 INCH, SOP-40

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K3N3U1000D-GC120 技术参数

是否Rohs认证：不符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：SOIC包装说明：SOP,
针数：40Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99HTS代码：8542.32.00.71
风险等级：5.92Is Samacsys：N
最长访问时间：120 ns备用内存宽度：8
JESD-30 代码：R-PDSO-G40长度：25.65 mm
内存密度：4194304 bit内存集成电路类型：MASK ROM
内存宽度：16功能数量：1
端子数量：40字数：262144 words
字数代码：256000工作模式：ASYNCHRONOUS
最高工作温度：70 °C最低工作温度：
组织：256KX16封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装代码：SOP封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE并行/串行：PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）：225认证状态：Not Qualified
座面最大高度：2.8 mm最大供电电压 (Vsup)：3.3 V
最小供电电压 (Vsup)：2.7 V标称供电电压 (Vsup)：3 V
表面贴装：YES技术：CMOS
温度等级：COMMERCIAL端子形式：GULL WING
端子节距：1.27 mm端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：30宽度：10.67 mm
Base Number Matches：1

K3N3U1000D-GC120 数据手册

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K3N3V(U)1000D-D(G)C  
CMOS MASK ROM  
4M-Bit (512Kx8 /256Kx16) CMOS MASK ROM  
GENERAL DESCRIPTION  
FEATURES  
· Switchable orginization  
524,288 x 8(byte mode)  
262,144 x 16(word mode)  
· Fast access time  
3.3V Operation : 100ns(Max.)  
3.0V Operation : 120ns(Max.)  
· Supply voltage : single +3.0V/ single +3.3V  
· Current consumption  
The K3N3V(U)1000D-D(G)C is a fully static mask programma-  
ble ROM fabricated using silicon gate CMOS process technol-  
ogy, and is organized either as 524,288 x 8bit(byte mode) or as  
262,144  
x 16bit(word mode) depending on BHE voltage  
level.(See mode selection table)  
This device operates with 3.0V or 3.3V power supply, and all  
inputs and outputs are TTL compatible.  
Because of its asynchronous operation, it requires no external  
clock assuring extremely easy operation.  
Operating : 25mA(Max.)  
Standby : 30mA(Max.)  
It is suitable for use in program memory of microprocessor, and  
data memory, character generator.  
· Fully static operation  
· All inputs and outputs TTL compatible  
· Three state outputs  
· Package  
-. K3N3V(U)1000D-DC : 40-DIP-600  
-. K3N3V(U)1000D-GC : 40-SOP-525  
The K3N3V(U)1000D-DC is packaged in a 40-DIP and the  
K3N3V(U)1000D-GC is a 40-SOP.  
FUNCTIONAL BLOCK DIAGRAM  
PIN CONFIGURATION  
A17  
X
MEMORY CELL  
MATRIX  
BUFFERS  
AND  
.
.
.
.
.
.
.
.
(262,144x16/  
524,288x8)  
A8  
A9  
A17  
A7  
40  
39  
38  
1
DECODER  
2
A6  
A10  
3
4
A5  
A11  
A12  
A13  
37  
36  
35  
34  
Y
A4  
SENSE AMP.  
5
BUFFERS  
AND  
A3  
6
DATA OUT  
BUFFERS  
A2  
7
A14  
DECODER  
A0  
A1  
8
33 A15  
A0  
A16  
32  
9
A-1  
CE  
VSS  
BHE  
VSS  
10  
11  
31  
30  
29  
28  
27  
26  
DIP  
&
SOP  
. . .  
Q15/A-1  
Q7  
OE 12  
CE  
Q0  
Q8  
13  
14  
15  
16  
17  
18  
Q0/Q8  
Q7/Q15  
CONTROL  
LOGIC  
Q14  
OE  
Q1  
Q6  
BHE  
Q9  
25 Q13  
24 Q5  
Q2  
Q10  
Q12  
Q4  
23  
22  
21  
Pin Name  
A0 - A17  
Pin Function  
Q3 19  
Q11  
Address Inputs  
Data Outputs  
20  
VCC  
Q0 - Q14  
Output 15(Word mode)/  
LSB Address(Byte mode)  
Q15 /A-1  
K3N3V(U)1000D-D(G)C  
BHE  
CE  
Word/Byte selection  
Chip Enable  
Output Enable  
Power  
OE  
VCC  
VSS  
Ground  
123

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
K3N3U1000D-TC SAMSUNG

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 		MASK ROM
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 		MASK ROM, 256KX16, 120ns, CMOS, PDSO44, 0.400 INCH, TSOP2-44
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