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JST41Z-1200B

更新时间： 2023-12-06 19:43:52

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捷捷微 - JJM		可控硅
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8页	962K
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四象限双向可控硅

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JST41Z-1200B 数据手册

JST41Z-1200B

JieJie Microelectronics Co., Ltd.

FIG.1 Maximum power dissipation versus RMS

FIG.2: RMS on-state current versus case

on-state current

temperature

_T(RMS)(A)

P(W)

78℃

100

125

_T(RMS)(A)

T_C(℃)

FIG.3: Surge peak on-state current versus

FIG.4: On-state characteristics

number of cycles

I_TM(A)

I_TSM(A)

450

Tj=25℃ typ

Tj=25℃ max

Tj=125℃ typ

T_c=25℃,t_p=20ms,one cycle,sine

400

350

300

250

200

150

100

0.5

1.5

1.E+0

1.E+1

1.E+2

1.E+3

1.E+4

1.E+5

Number of cycles

_TM(V)

FIG.5: Non-repetitive surge peak on-state

current for a sinusoidal pulse with width t_p

<20ms, and corresponding value of I²t

(Ⅰ-Ⅱ: dI/dt<100A/μs;Ⅲ-Ⅳ: dI/dt<50A/μs)

FIG.6: Relative variations of gate trigger

current, holding current and latching

current versus junction temperature

I_TSM(A), I²t(A²s)

10000

_GT,I_H,I_L(Tj)/I_GT,I_H,I_L(T_j=25℃)

IGT(I/II/III)

dI/dt_(I/II)

IGT(IV)

I_TSM

2.5

1000

dI/dt_(IV/III)

I²t

100

1.5

0.5

‐40

‐20

100

120

140

0.01

0.1

T_j(℃)

t_p(ms)

TEL：+86-513-68528666

http://www.jjwdz.com

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