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JS28F640P33B85

更新时间： 2024-12-01 15:38:07
品牌 Logo 应用领域
英特尔 - INTEL 光电二极管内存集成电路闪存
页数 文件大小 规格书
104页 1595K
描述
Flash, 4MX16, 85ns, PDSO56, 14 X 20 MM, LEAD FREE, TSOP-56

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JS28F640P33B85 技术参数

是否Rohs认证：符合生命周期：Transferred
零件包装代码：TSOP包装说明：14 X 20 MM, LEAD FREE, TSOP-56
针数：56Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：3A991.B.1.AHTS代码：8542.32.00.51
风险等级：5.54Is Samacsys：N
最长访问时间：85 ns其他特性：SYNCHRONOUS BURST MODE OPERATION ALSO POSSIBLE
启动块：BOTTOM命令用户界面：YES
通用闪存接口：YES数据轮询：NO
JESD-30 代码：R-PDSO-G56JESD-609代码：e3
长度：18.4 mm内存密度：67108864 bit
内存集成电路类型：FLASH内存宽度：16
功能数量：1部门数/规模：4,63
端子数量：56字数：4194304 words
字数代码：4000000工作模式：ASYNCHRONOUS
最高工作温度：85 °C最低工作温度：-40 °C
组织：4MX16封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装代码：TSSOP封装等效代码：TSSOP56,.8,20
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE, THIN PROFILE, SHRINK PITCH
页面大小：4 words并行/串行：PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）：260电源：2.5/3.3 V
编程电压：3 V认证状态：Not Qualified
座面最大高度：1.2 mm部门规模：16K,64K
最大待机电流：0.000135 A子类别：Flash Memories
最大压摆率：0.051 mA最大供电电压 (Vsup)：3.6 V
最小供电电压 (Vsup)：2.3 V标称供电电压 (Vsup)：3 V
表面贴装：YES技术：CMOS
温度等级：INDUSTRIAL端子面层：MATTE TIN
端子形式：GULL WING端子节距：0.5 mm
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：40
切换位：NO类型：NOR TYPE
宽度：14 mmBase Number Matches：1

JS28F640P33B85 数据手册

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®
Intel StrataFlash Embedded Memory (P33)  
Datasheet  
Product Features  
„ High performance:  
„ Security:  
— 85 ns initial access  
— One-Time Programmable Registers:  
— 64 unique factory device identifier bits  
— 2112 user-programmable OTP bits  
— Selectable OTP space in Main Array:  
— Four pre-defined 128-KByte blocks (top or  
bottom configuration).  
— 52MHz with zero wait states, 17ns clock-to-  
data output synchronous-burst read mode  
— 25 ns asynchronous-page read mode  
— 4-, 8-, 16-, and continuous-word burst mode  
— Buffered Enhanced Factory Programming  
(BEFP) at 5 µs/byte (Typ)  
— Up to Full Array OTP Lockout  
— Absolute write protection: V = V  
— 3.0 V buffered programming at 7 µs/byte  
PP  
SS  
(Typ)  
„ Architecture:  
— Power-transition erase/program lockout  
— Individual zero-latency block locking  
— Individual block lock-down capability  
„ Software:  
— Multi-Level Cell Technology: Highest Density  
at Lowest Cost  
— Asymmetrically-blocked architecture  
— Four 32-KByte parameter blocks: top or  
bottom configuration  
— 20 µs (Typ) program suspend  
— 20 µs (Typ) erase suspend  
®
— Intel Flash Data Integrator optimized  
— 128-KByte main blocks  
— Basic Command Set and Extended Command  
„ Voltage and Power:  
Set compatible  
— V  
— V  
(core) voltage: 2.3 V – 3.6 V  
CCQ  
CC  
— Common Flash Interface capable  
„ Density and Packaging  
(I/O) voltage: 2.3 V – 3.6 V  
— Standby current: 35µA (Typ) for 64-Mbit  
— 4-Word synchronous read current:  
16 mA (Typ) at 52MHz  
— 56-Lead TSOP package (64, 128, 256, 512-  
Mbit)  
— 64-Ball Intel® Easy BGA package (64, 128,  
256, 512-Mbit)  
„ Quality and Reliability  
— Operating temperature: –40 °C to +85 °C  
— Minimum 100,000 erase cycles per block  
— ETOX™ VIII process technology  
— Intel® QUAD+ SCSP (64, 128, 256, 512-Mbit)  
— 16-bit wide data bus  
Order Number: 314749-004  
November 2007  
1234567...104

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
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