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JS28F800C3TD70

更新时间： 2024-12-01 14:51:47
品牌 Logo 应用领域
恒忆 - NUMONYX 光电二极管内存集成电路闪存
页数 文件大小 规格书
70页 638K
描述
Flash, 512KX16, 70ns, PDSO48, 12 X 20 MM, LEAD FREE, TSOP-48

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JS28F800C3TD70 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：TSOP包装说明：12 X 20 MM, LEAD FREE, TSOP-48
针数：48Reach Compliance Code：unknown
ECCN代码：EAR99HTS代码：8542.32.00.51
风险等级：5.44最长访问时间：70 ns
其他特性：USER-SELECTABLE 3V OR 12V VPP; TOP BOOT BLOCK启动块：TOP
命令用户界面：YES通用闪存接口：YES
数据轮询：NOJESD-30 代码：R-PDSO-G48
长度：18.4 mm内存密度：8388608 bit
内存集成电路类型：FLASH内存宽度：16
功能数量：1部门数/规模：8,15
端子数量：48字数：524288 words
字数代码：512000工作模式：ASYNCHRONOUS
最高工作温度：85 °C最低工作温度：-40 °C
组织：512KX16封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装代码：TSSOP封装等效代码：TSSOP48,.8,20
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE, THIN PROFILE, SHRINK PITCH
并行/串行：PARALLEL峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
电源：1.8/3.3,3/3.3 V编程电压：3 V
认证状态：Not Qualified座面最大高度：1.2 mm
部门规模：4K,32K最大待机电流：0.00002 A
子类别：Flash Memories最大压摆率：0.018 mA
最大供电电压 (Vsup)：3.6 V最小供电电压 (Vsup)：2.7 V
标称供电电压 (Vsup)：3 V表面贴装：YES
技术：CMOS温度等级：INDUSTRIAL
端子形式：GULL WING端子节距：0.5 mm
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
切换位：NO类型：NOR TYPE
宽度：12 mmBase Number Matches：1

JS28F800C3TD70 数据手册

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Numonyx™ Advanced+ Boot Block Flash  
Memory (C3)  
28F800C3, 28F160C3, 28F320C3 (x16)  
Datasheet  
Product Features  
„ Flexible SmartVoltage Technology  
— 2.7 V– 3.6 V read/program/erase  
— 12 V for fast production programming  
„ 1.65 V to 2.5 V or 2.7 V to 3.6 V I/O Option  
— Reduces overall system power  
„ High Performance  
„ 128-bit Protection Register  
— 64 bit unique device identifier  
— 64 bit user programmable OTP cells  
„ Extended Cycling Capability  
— Minimum 100,000 block erase cycles  
„ Software  
— 2.7 V– 3.6 V: 70 ns max access time  
— Supported by Numonyx Advanced Flash  
File Managers -- Numonyx™ VFM,  
Numonyx™ FDI, etc.  
„ Optimized Architecture for Code Plus Data  
Storage  
— Code and data storage in the same  
memory device  
— Eight 4 Kword blocks, top or bottom  
parameter boot  
— Robust Power Loss Recovery for Data Loss  
Prevention  
— Common Flash Interface  
„ Standard Surface Mount Packaging  
— 48-Ball μBGA*/VFBGA  
— 64-Ball Easy BGA packages  
— 48-TSOP package  
„ Intel ETOX* VIII (0.13 μm) Flash Technology  
— 8, 16, 32 Mbit  
— Up to 127 x 32 Kword blocks  
— Fast program suspend capability  
— Fast erase suspend capability  
„ Flexible Block Locking  
— Lock/unlock any block  
— Full protection on power-up  
— Write Protect (WP#) pin for hardware block  
protection  
„ Low Power Consumption  
„ Intel ETOX* VII (0.18 μm) Flash Technology  
— 16, 32 Mbit  
„ Intel ETOX* VI (0.25 μm) Flash Technology  
— 8, 16 and 32 Mbit  
— 9 mA typical read  
— 7 uA typical standby with Automatic Power  
Savings feature  
„ Extended Temperature Operation  
— -40 °C to +85 °C  
290645-24  
March 2008  
1234567...70

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