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JS28F800C3TD70

更新时间： 2024-12-01 19:16:43
品牌 Logo 应用领域
英特尔 - INTEL 光电二极管内存集成电路闪存
页数 文件大小 规格书
72页 1083K
描述
Flash, 512KX16, 70ns, PDSO48, 12 X 20 MM, LEAD FREE, TSOP-48

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JS28F800C3TD70 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Transferred
零件包装代码：TSOP包装说明：12 X 20 MM, LEAD FREE, TSOP-48
针数：48Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99HTS代码：8542.32.00.51
风险等级：5.2最长访问时间：70 ns
其他特性：USER-SELECTABLE 3V OR 12V VPP启动块：TOP
命令用户界面：YES通用闪存接口：YES
数据轮询：NOJESD-30 代码：R-PDSO-G48
JESD-609代码：e3长度：18.4 mm
内存密度：8388608 bit内存集成电路类型：FLASH
内存宽度：16功能数量：1
部门数/规模：8,15端子数量：48
字数：524288 words字数代码：512000
工作模式：ASYNCHRONOUS最高工作温度：85 °C
最低工作温度：-40 °C组织：512KX16
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装代码：TSOP1
封装等效代码：TSSOP48,.8,20封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE, THIN PROFILE并行/串行：PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）：260电源：1.8/3.3,3/3.3 V
编程电压：3 V认证状态：Not Qualified
座面最大高度：1.2 mm部门规模：4K,32K
最大待机电流：0.000005 A子类别：Flash Memories
最大压摆率：0.055 mA最大供电电压 (Vsup)：3.6 V
最小供电电压 (Vsup)：2.7 V标称供电电压 (Vsup)：3 V
表面贴装：YES技术：CMOS
温度等级：INDUSTRIAL端子面层：MATTE TIN
端子形式：GULL WING端子节距：0.5 mm
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：40
切换位：NO类型：NOR TYPE
宽度：12 mmBase Number Matches：1

JS28F800C3TD70 数据手册

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Intel® Advanced+ Boot Block Flash  
Memory (C3)  
28F800C3, 28F160C3, 28F320C3 (x16)  
Datasheet  
Product Features  
■ Flexible SmartVoltage Technology  
—2.7 V– 3.6 V read/program/erase  
—12 V for fast production programming  
■ 128-bit Protection Register  
—64 bit unique device identifier  
—64 bit user programmable OTP cells  
■ 1.65 V to 2.5 V or 2.7 V to 3.6 V I/O  
■ Extended Cycling Capability  
Option  
—Minimum 100,000 block erase cycles  
—Reduces overall system power  
■ Software  
—Supported by Intel’s Advanced Flash  
File Managers -- Intel® VFM, Intel®  
FDI, etc.  
—Code and data storage in the same  
memory device  
—Robust Power Loss Recovery for Data  
Loss Prevention  
—Common Flash Interface  
—http://www.intel.com/go/flashsw  
■ High Performance  
—2.7 V– 3.6 V: 70 ns max access time  
■ Optimized Architecture for Code Plus  
Data Storage  
—Eight 4 Kword blocks, top or bottom  
parameter boot  
—Up to 127 x 32 Kword blocks  
—Fast program suspend capability  
—Fast erase suspend capability  
■ Standard Surface Mount Packaging  
—48-Ball µBGA*/VFBGA  
—64-Ball Easy BGA packages  
—48-TSOP package  
■ Flexible Block Locking  
—Lock/unlock any block  
—Full protection on power-up  
—Write Protect (WP#) pin for hardware  
block protection  
■ ETOX™ VIII (0.13 µm) Flash  
Technology  
■ Low Power Consumption  
—9 mA typical read  
—8, 16, 32 Mbit  
—7 uA typical standby with Automatic  
Power Savings feature  
■ ETOX™ VII (0.18 µm) Flash Technology  
—16, 32 Mbit  
■ Extended Temperature Operation  
■ ETOX™ VI (0.25 µm) Flash Technology  
—8, 16 and 32 Mbit  
—-40 °C to +85 °C  
The Intel® Advanced+ Book Block Flash Memory (C3) device, manufactured on Intel’s latest  
0.13 µm and 0.18 µm technologies, represents a feature-rich solution for low-power  
applications. The C3 device incorporates low-voltage capability (3 V read, program, and erase)  
with high-speed, low-power operation. Flexible block locking allows any block to be  
independently locked or unlocked. Add to this the Intel® Flash Data Integrator (Intel® FDI)  
software and you have a cost-effective, flexible, monolithic code plus data storage solution.  
Intel® Advanced+ Boot Block Flash Memory (C3) products are available in 48-lead TSOP, 48-  
ball CSP, and 64-ball Easy BGA packages. Additional information on this product family can be  
obtained from the Intel® Flash website: http://www.intel.com/design/flash.  
Order Number: 290645, Revision: 023  
May 2005  
1234567...72

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