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JANTXV2N6193

更新时间： 2024-01-15 14:49:18

品牌	Logo	应用领域
美高森美 - MICROSEMI		开关晶体管
页数	文件大小	规格书
2页	59K
描述
Small Signal Bipolar Transistor, 5A I(C), 100V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-39, TO-39, 3 PIN

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JANTXV2N6193 技术参数

生命周期：	Active	零件包装代码：	TO-39
包装说明：	CYLINDRICAL, O-MBCY-W3	针数：	3
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.29.00.95	风险等级：	5.24
外壳连接：	COLLECTOR	最大集电极电流 (IC)：	5 A
集电极-发射极最大电压：	100 V	配置：	SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：	60	JEDEC-95代码：	TO-39
JESD-30 代码：	O-MBCY-W3	元件数量：	1
端子数量：	3	封装主体材料：	METAL
封装形状：	ROUND	封装形式：	CYLINDRICAL
极性/信道类型：	PNP	认证状态：	Qualified
参考标准：	MIL-19500/561	表面贴装：	NO
端子形式：	WIRE	端子位置：	BOTTOM
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
最大关闭时间（toff）：	2200 ns	最大开启时间（吨）：	200 ns
Base Number Matches：	1

JANTXV2N6193 数据手册

2N6193 JAN SERIES

ELECTRICAL CHARACTERISTICS (con’t)

Characteristics

ON CHARACTERISTICS ⁽³⁾

Symbol

Min.

Max.

Unit

DC Current Gain

I_C= 0.5 Adc, V_CE= 2.0 Vdc

I_C= 2.0 Adc, V_CE= 2.0 Vdc

I_C= 5.0 Adc, V_CE= 2.0 Vdc

Collector-Emitter Saturation Voltage

I_C= 2.0 Adc, I_B= 0.2 Adc

I_C= 5.0 Adc, I_B= 0.5 Adc

Base-Emitter Saturation Voltage

I_C= 2.0 Adc, I_B= 0.2 Adc

I_C= 5.0 Adc, I_B= 0.5 Adc

h_FE

240

0.7

1.2

V_CE(sat)

Vdc

1.2

1.8

V_BE(sat)

DYNAMIC CHARACTERISTICS

Magnitude of Common Emitter Small-Signal Short Circuit

Forward-Current Transfer Ratio

I_C= 0.5 Adc, V_CE= 10 Vdc, f = 10 MHz

Output Capacitance

V_CB= 10 Vdc, I_E= 0, 100 kHz £ f £ 1.0 MHz

Output Capacitance

V_BE= 2.0 Vdc, I_C= 0, 100 kHz £ f £ 1.0 MHz

3.0

½h_fe½

C_obo

300

1250

C_ibo

SWITCHING CHARACTERISTICS

V_CC= -40 Vdc, V_BE(off)= 3.0 Vdc

^td

^tr

^ts

^tf

Delay Time

100

2.0

Rise Time

I_C= 2.0 Adc, I_B1= 0.2 Adc

Storage Time

V_CC= -40 Vdc I_C= 2.0 Adc,

Fall Time

200

I_B1= -I_B2= 0.2 Adc

SAFE OPERATING AREA

DC Tests

T_C= +25⁰C, 1 Cycle, t ³ 0.5 s

Test 1

V_CE= 2.0 Vdc, I_C= 5.0 Adc

Test 2

V_CE= 90 Vdc, I_C= 55 mAdc

(3) Pulse Test: Pulse Width = 300ms, Duty Cycle £ 2.0%.

6 Lake Street, Lawrence, MA 01841

1-800-446-1158 / (978) 794-1666 / Fax: (978) 689-0803

120101

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