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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Active |
| 包装说明： | R-CBCC-N3 | 针数： | 3 |
| Reach Compliance Code： | compliant | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8541.10.00.80 | 风险等级： | 5.53 |
| 其他特性： | HIGH RELIABILITY | 应用： | EFFICIENCY |
| 外壳连接： | ISOLATED | 配置： | SINGLE |
| 二极管元件材料： | SILICON | 二极管类型： | RECTIFIER DIODE |
| JESD-30 代码： | R-CBCC-N3 | JESD-609代码： | e0 |
| 最大非重复峰值正向电流： | 250 A | 元件数量： | 1 |
| 相数： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 最大输出电流： | 15 A | 封装主体材料： | CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | CHIP CARRIER |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 认证状态： | Qualified |
| 参考标准： | MIL-19500/679 | 最大重复峰值反向电压： | 100 V |
| 表面贴装： | YES | 技术： | SCHOTTKY |
| 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) | 端子形式： | NO LEAD |
| 端子位置： | BOTTOM | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| JANTXV1N6845U3 | MICROSEMI |
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Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 1 Element, 30A, 45V V(RRM), Silicon, ROHS COMPLIANT, C |
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| JANTXV1N6857-1 | CDI-DIODE |
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SCHOTTKY BARRIER DIODES |
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| JANTXV1N6857-1 | MICROSEMI |
获取价格 |
Schottky Barrier Diode Qualified per MIL-PRF-19500/444 |
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| JANTXV1N6857-1E3 | MICROSEMI |
获取价格 |
Schottky Barrier Diode Qualified per MIL-PRF-19500/444 |
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| JANTXV1N6857UR-1 | MICROSEMI |
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Rectifier Diode, Schottky, 1 Element, 0.15A, Silicon, DO-213AA, HERMETIC SEALED, LEADLESS, |
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| JANTXV1N6858-1 | CDI-DIODE |
获取价格 |
SCHOTTKY BARRIER DIODES |
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| JANTXV1N6858-1 | MICROSEMI |
获取价格 |
Schottky Barrier Diode Qualified per MIL-PRF-19500/444 |
|
| JANTXV1N6858-1E3 | MICROSEMI |
获取价格 |
Schottky Barrier Diode Qualified per MIL-PRF-19500/444 |
|
| JANTXV1N6858UR-1 | MICROSEMI |
获取价格 |
Rectifier Diode, Schottky, 1 Element, 0.075A, Silicon, DO-213AA, HERMETIC SEALED, LEADLESS |
|
| JANTXV1N6912UTK2AS | MICROSEMI |
获取价格 |
Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 1 Element, 25A, 45V V(RRM), Silicon, |
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