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JANTXV1N6641

更新时间： 2024-01-18 14:03:42

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美高森美 - MICROSEMI		二极管
页数	文件大小	规格书
2页	47K
描述
Rectifier Diode, 1 Element, 0.3A, Silicon, DO-35, SIMILAR TO DO-35, 2 PIN

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技术参数
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JANTXV1N6641 技术参数

生命周期：	Transferred	包装说明：	SURFACE MOUNT PACKAGE-2
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.7
其他特性：	METALLURGICALLY BONDED	外壳连接：	ISOLATED
配置：	SINGLE	二极管元件材料：	SILICON
二极管类型：	RECTIFIER DIODE	JESD-30 代码：	O-XELF-R2
元件数量：	1	端子数量：	2
最大输出电流：	0.3 A	封装主体材料：	UNSPECIFIED
封装形状：	ROUND	封装形式：	LONG FORM
认证状态：	Not Qualified	参考标准：	MIL-19500/609D
最大反向恢复时间：	0.005 µs	表面贴装：	YES
端子形式：	WRAP AROUND	端子位置：	END
Base Number Matches：	1

JANTXV1N6641 数据手册

1N6639

1N6640

1N6641

• 1N6639 thru 1N6641AVAILABLE IN JAN, JANTX, JANTXV, AND JANS

PER MIL-PRF-19500/609

• SWITCHING DIODES

• NON-CAVITY GLASS PACKAGE

• METALLURGICALLY BONDED

0.056/0.075

MAXIMUM RATINGS

1.42/1.91

Operating Temperature: -65°C to +175°C

Storage Temperature: -65°C to +175°C

Operating Current: 300 mA

Derating: 3 mA/°C Above T = +75°C@ = L = / ”

Surge Current: I_FSM= 2.5A, Pw = 8.3ms

0.140/0.180

3.55/4.57

POLARITY

BAND

(CATHODE)

1.00

25.4

0.018/0.022

0.46/0.56

ELECTRICAL CHARACTERISTICS @ 25°C, unless otherwise speci½ed.

BRR

@ 10 µ

RWM

@ T = +25°C

@ T = +150°C

= 0

TYPES

= 200 mA

RWM

FIGURE 1

nA dc

µA dc

(PK)

MIN

(PK)

1N6639

1N6640

1N6641

100

4.0

5.0

2.5

3.0

DESIGN DATA

CASE: Hermetically sealed, “D” Body

per MIL-PRF- 19500/609. D-5D

FORWARD VOLTAGE:

LEAD MATERIAL: Copper clad steel

LEAD FINISH: Tin / Lead

TYPES

V dC

MAX

(PULSED)

500

MIN

–

1.20

1N6639

1N6640

THERMAL RESISTANCE: (R

°C/W maximum at L = .375

): 160

OJL

0.54

0.76

0.82

0.87

0.62

0.86

0.92

1.00

100

200

THERMAL IMPEDANCE: (Z

°C/W maximum

): 25

OJX

1N6641

–

1.10

200

POLARITY: Cathode end is banded.

MOUNTING POSITION: Any

6 LAKE STREET, LAWRENCE, MASSACHUSETTS 01841

PHONE (978) 620-2600

FAX (781) 689-0803

WEBSITE: http://www.microsemi.com

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