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JANTXV1N4150-1

更新时间： 2024-11-16 19:47:11
品牌 Logo 应用领域
CDI-DIODE 二极管
页数 文件大小 规格书
2页 34K
描述
Rectifier Diode, 1 Element, 0.2A, Silicon, DO-35, SIMILAR TO DO-7, 2 PIN

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JANTXV1N4150-1 技术参数

生命周期：Transferred包装说明：SIMILAR TO DO-7, 2 PIN
Reach Compliance Code：unknown风险等级：5.66
其他特性：METALLURGICALLY BONDED外壳连接：ISOLATED
配置：SINGLE二极管元件材料：SILICON
二极管类型：RECTIFIER DIODEJEDEC-95代码：DO-35
JESD-30 代码：O-XALF-W2元件数量：1
端子数量：2最大输出电流：0.2 A
封装主体材料：UNSPECIFIED封装形状：ROUND
封装形式：LONG FORM认证状态：Not Qualified
参考标准：MIL-19500/231H最大反向恢复时间：0.004 µs
表面贴装：NO端子形式：WIRE
端子位置：AXIALBase Number Matches：1

JANTXV1N4150-1 数据手册

 浏览型号JANTXV1N4150-1的Datasheet PDF文件第2页 
• 1N4150-1 AVAILABLE IN JAN, JANTX, AND JANTXV PER MIL-PRF-19500/231  
• 1N3600 AVAILABLE IN JAN, JANTX, AND JANTXV PER MIL-PRF-19500/231  
1N4150  
and  
1N4150-1  
and  
• SWITCHING DIODES  
• HERMETICALLY SEALED  
• METALLURGICALLY BONDED  
• DOUBLE PLUG CONSTRUCTION  
1N3600  
MAXIMUM RATINGS  
Junction Temperature: -65°C to +175°C  
Storage Temperature: -65°C to +175°C  
Operating Current: 300 mA @ T = +25°C  
A
Derating: 2.0 mA dc/°C Above T = + 75°C @ L = 3/8”  
L
Forward Surge Current: 4A, (tp = 1µs); 0.5A (tp = 1s)  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS @ 25°C, unless otherwise specified.  
Type  
V
V
I
1
C
t
BR  
RWM  
R1  
R2  
rr  
I = I = 10 to 100 mAdc  
F
V
= 50 V dc  
= 25°C  
V
= 50 V dc  
= 150°C  
V
= 0; f = 1 Mhz;  
R
T
R
R
R
I
= 10 µA  
V dc  
T
ac signals = 50 mV (p-p)  
pF  
R
L
= 100 ohms  
ns  
R
A
A
V (pk)  
µA dc  
µA dc  
FIGURE 1  
1N3600  
1N4150,-1  
75  
75  
50  
50  
0.1  
0.1  
100  
100  
2.5  
2.5  
4
4
FORWARD VOLTAGE LIMITS – ALL TYPES  
DESIGN DATA  
V
V
V
V
V
F1  
F2  
F3  
F4  
F5  
CASE: Hermetically sealed  
glass case per MIL-S-19500/231  
D0-35 outline.  
Limits  
I
= 1 mA dc  
I
= 10 mA dc  
I
= 50 mA dc  
(Pulsed)  
I
= 100 mA dc  
(Pulsed)  
I
= 200 mA dc  
F
(Pulsed)  
F
F
F
F
V dc  
V dc  
V dc  
V dc  
V dc  
minimum  
maximum  
0.540  
0.620  
0.660  
0.740  
0.760  
0.860  
0.820  
0.920  
0.870  
1.000  
LEAD MATERIAL: Copper clad steel.  
LEAD FINISH: Tin / Lead  
THERMAL RESISTANCE: (R  
250 ˚C/W maximum at L = .375  
):  
OJL  
THERMAL IMPEDANCE: (Z  
˚C/W maximum  
): 70  
JX  
O
POLARITY: Cathode end is banded.  
MOUNTING POSITION: Any.  
22 COREY STREET, MELROSE, MASSACHUSETTS 02176  
PHONE (781) 665-1071  
WEBSITE: http://www.cdi-diodes.com  
FAX (781) 665-7379  
E-mail: mail@cdi-diodes.com  
12

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与JANTXV1N4150-1相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
JANTXV1N4150R MICROSEMI

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 		Rectifier Diode, 1 Element, 0.2A, 75V V(RRM), Silicon,
JANTXV1N4150UR-1 MICROSEMI

获取价格

 		Rectifier Diode, 1 Element, 0.2A, Silicon, DO-213AA, DO-213AA, 2 PIN
JANTXV1N4150UR-1 CDI-DIODE

获取价格

 		Rectifier Diode, 1 Element, 0.2A, Silicon, DO-213AA, DO-213AA, 2 PIN
JANTXV1N4153 MICROSEMI

获取价格

 		Silicon Switching Diode DO-35 Glass Package
JANTXV1N4153-1 MICROSEMI

获取价格

 		Silicon Switching Diode DO-35 Glass Package
JANTXV1N4153UR-1 CDI-DIODE

获取价格

 		Rectifier Diode, 1 Element, 0.15A, Silicon, DO-213AA, HERMETIC SEALED, GLASS, LL34, MELF-2
JANTXV1N4245 SENSITRON

获取价格

 		HERMETIC AXIAL LEAD RECTIFIER
JANTXV1N4245 SEMTECH

获取价格

 		暂无描述
JANTXV1N4245US SENSITRON

获取价格

 		Rectifier Diode, 1 Element, 1A, 200V V(RRM), Silicon, HERMETIC SEALED, GLASS, MELF-1, 2 PI
JANTXV1N4246 SENSITRON

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 		HERMETIC AXIAL LEAD RECTIFIER

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