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JANTXV1N4150UR-1 PDF预览

JANTXV1N4150UR-1

更新时间： 2024-11-16 15:35:47
品牌 Logo 应用领域
CDI-DIODE 二极管
页数 文件大小 规格书
2页 33K
描述
Rectifier Diode, 1 Element, 0.2A, Silicon, DO-213AA, DO-213AA, 2 PIN

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JANTXV1N4150UR-1 技术参数

生命周期：Transferred包装说明：DO-213AA, 2 PIN
Reach Compliance Code：unknown风险等级：5.7
其他特性：METALLURGICALLY BONDED外壳连接：ISOLATED
配置：SINGLE二极管元件材料：SILICON
二极管类型：RECTIFIER DIODEJEDEC-95代码：DO-213AA
JESD-30 代码：O-LELF-R2元件数量：1
端子数量：2最大输出电流：0.2 A
封装主体材料：GLASS封装形状：ROUND
封装形式：LONG FORM认证状态：Not Qualified
参考标准：MIL-19500/231H最大反向恢复时间：0.004 µs
表面贴装：YES端子形式：WRAP AROUND
端子位置：ENDBase Number Matches：1

JANTXV1N4150UR-1 数据手册

 浏览型号JANTXV1N4150UR-1的Datasheet PDF文件第2页 
1N4150UR-1  
1N3600UR  
CDLL4150  
CDLL3600  
• 1N4150UR-1 AVAILABLE IN JAN, JANTX, AND JANTXV  
PER MIL-PRF-19500/231  
• SWITCHING DIODE  
• HERMETICALLY SEALED  
• METALLURGICALLY BONDED  
• DOUBLE PLUG CONSTRUCTION  
MAXIMUM RATINGS  
Junction Temperature: -65°C to +175°C  
Storage Temperature: -65°C to +175°C  
Operating Current: 300 mA @ T = + 25°C  
A
EC  
Derating: 3.1 mA dc/°C Above T  
= + 110°C  
Forward Surge Current: 4A, (tp = 1µs); 0.5A (tp = 1s)  
MILLIMETERS  
INCHES  
DIM MIN MAX MIN MAX  
D
F
1.60  
0.41  
3.30  
1.70 0.063 0.067  
0.55 0.016 0.022  
3.70 .130 .146  
G
ELECTRICAL CHARACTERISTICS @ 25°C, unless otherwise specified.  
G1  
S
2.54 REF.  
0.03 MIN.  
.100 REF.  
.001 MIN.  
Type  
V
V
I
1
C
t
BR  
RWM  
R1  
R2  
rr  
I = I = 10 to 100 mAdc  
F
V
= 50 V dc  
V
T
= 50 V dc  
V
= 0; f = 1 Mhz;  
R
R
R
R
I
= 10 µA  
T
= 25°C  
= 150°C  
ac signals = 50 m V (p-p)  
R
L
= 100 ohms  
ns  
R
A
A
FIGURE 1  
V dc  
V (pk)  
µA dc  
µA dc  
pF  
DESIGN DATA  
CDLL3600  
CDLL4150,-1  
75  
75  
50  
50  
0.1  
0.1  
100  
100  
2.5  
2.5  
4
4
CASE: DO-213AA, Hermetically sealed  
glass case. (MELF, SOD-80; LL34)  
FORWARD VOLTAGE LIMITS – ALL TYPES  
V
V
V
V
V
F1  
F2  
F3  
F4  
F5  
LEAD FINISH: Tin / Lead  
Limits  
I
= 1 mA dc  
I
= 10 mA dc  
I
= 50 mA dc  
(Pulsed)  
I
= 100 mA dc  
(Pulsed)  
I
F
= 200 mA dc  
(Pulsed)  
F
F
F
F
THERMAL RESISTANCE (R  
):  
OJEC  
V dc  
V dc  
V dc  
V dc  
V dc  
100 °C/W maximum AT L = 0  
minimum  
maximum  
0.540  
0.620  
0.680  
0.740  
0.780  
0.860  
0.820  
0.920  
0.870  
1.000  
THERMAL IMPEDANCE: (Z  
˚C/W maximum  
): 70  
JX  
O
POLARITY: Cathode end is banded.  
MOUNTING SURFACE SELECTION:  
The Axial Coefficient of Expansion  
(COE) Of this Device is Approximately  
+6PPM/°C. The COE of the Mounting  
Surface System Should Be Selected To  
Provide A Suitable Match With This  
Device.  
22 COREY STREET, MELROSE, MASSACHUSETTS 02176  
PHONE (781) 665-1071  
WEBSITE: http://www.cdi-diodes.com  
FAX (781) 665-7379  
E-mail: mail@cdi-diodes.com  
12

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
JANTXV1N4153 MICROSEMI

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 		Silicon Switching Diode DO-35 Glass Package
JANTXV1N4153-1 MICROSEMI

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 		Silicon Switching Diode DO-35 Glass Package
JANTXV1N4153UR-1 CDI-DIODE

获取价格

 		Rectifier Diode, 1 Element, 0.15A, Silicon, DO-213AA, HERMETIC SEALED, GLASS, LL34, MELF-2
JANTXV1N4245 SENSITRON

获取价格

 		HERMETIC AXIAL LEAD RECTIFIER
JANTXV1N4245 SEMTECH

获取价格

 		暂无描述
JANTXV1N4245US SENSITRON

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 		Rectifier Diode, 1 Element, 1A, 200V V(RRM), Silicon, HERMETIC SEALED, GLASS, MELF-1, 2 PI
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