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| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | CYLINDRICAL, O-MBCY-W3 |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | EAR99 |
| 风险等级： | 5.27 | Is Samacsys： | N |
| 最大集电极电流 (IC)： | 3 A | 集电极-发射极最大电压： | 40 V |
| 配置： | SINGLE | 最小直流电流增益 (hFE)： | 35 |
| JEDEC-95代码： | TO-8 | JESD-30 代码： | O-MBCY-W3 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 封装主体材料： | METAL | 封装形状： | ROUND |
| 封装形式： | CYLINDRICAL | 极性/信道类型： | NPN |
| 功耗环境最大值： | 25 W | 认证状态： | Not Qualified |
| 参考标准： | MIL | 表面贴装： | NO |
| 端子面层： | NOT SPECIFIED | 端子形式： | WIRE |
| 端子位置： | BOTTOM | 晶体管元件材料： | SILICON |
| VCEsat-Max： | 0.75 V | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| JANTX2N1486 | MICROSEMI |
获取价格 |
NPN SILICON MEDIUM POWER TRANSISTOR |
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| JANTX2N1488 | MICROSEMI |
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Power Bipolar Transistor, 6A I(C), 55V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-204AA, Metal, |
|
| JANTX2N1490 | MICROSEMI |
获取价格 |
Power Bipolar Transistor, 6A I(C), 55V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-204AA, Metal, |
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| JANTX2N1613 | RAYTHEON |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor, 1-Element, NPN, Silicon, TO-39, |
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| JANTX2N1613 | MICROSEMI |
获取价格 |
NPN LOW POWER SILICON TRANSISTOR |
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| JANTX2N1613L | MICROSEMI |
获取价格 |
NPN LOW POWER SILICON TRANSISTOR |
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| JANTX2N1711 | MICROSEMI |
获取价格 |
NPN LOW POWER SILICON TRANSISTOR |
|
| JANTX2N1711 | RAYTHEON |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor, 1-Element, NPN, Silicon, TO-39, |
|
| JANTX2N1711S | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | BJT | NPN | 50V V(BR)CEO | 1A I(C) | TO-39 |
|
| JANTX2N1714 | MICROSEMI |
获取价格 |
Power Bipolar Transistor, 0.75A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Metal, 3 Pin, |
|
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