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JANTX1N6519

更新时间： 2024-11-30 14:42:59
品牌 Logo 应用领域
SSDI /
页数 文件大小 规格书
4页 1746K
描述
Rectifier Diode, 1 Element, 0.5A, 10000V V(RRM), Silicon,

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JANTX1N6519 技术参数

生命周期：Active包装说明：E-LALF-W2
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
风险等级：5.74Is Samacsys：N
外壳连接：ISOLATED配置：SINGLE
二极管元件材料：SILICON二极管类型：RECTIFIER DIODE
JESD-30 代码：E-LALF-W2元件数量：1
端子数量：2最高工作温度：175 °C
最低工作温度：-65 °C最大输出电流：0.5 A
封装主体材料：GLASS封装形状：ELLIPTICAL
封装形式：LONG FORM认证状态：Not Qualified
参考标准：MIL-19500最大重复峰值反向电压：10000 V
最大反向恢复时间：0.07 µs表面贴装：NO
端子形式：WIRE端子位置：AXIAL
Base Number Matches：1

JANTX1N6519 数据手册

 浏览型号JANTX1N6519的Datasheet PDF文件第2页浏览型号JANTX1N6519的Datasheet PDF文件第3页浏览型号JANTX1N6519的Datasheet PDF文件第4页 
On May 22, 2013, DLA Land and Maritime ac-  
cepted SSDI’s qualification data for the JANS1N6512  
- JANS1N6519 series of high voltage power rectifiers  
(MIL-PRF-19500/575). JAN, JANTX, JANTXV,  
and JANS versions are currently available direct from  
the factory. Contact SSDI today for more informa-  
tion and to request samples. SSDI looks forward to  
continuing its work with DLA Land and Maritime  
to qualify more of its current product offerings for  
JANS certification, the highest quality level assigned  
by MIL-PRF-19500.  
Axial  
Leaded  
Surface  
Mount  
JAN / JANTX / JANTXV / JANS1N6512 - 1N6519  
Maximum Ratings / Electrical Characteristics  
RθJL2  
C
IFSM  
VF  
RθJL1  
IR  
Part  
VRWM  
IO tRR  
TSTG  
TJ  
RθJEC  
VR = 50V  
F = 1kHz  
O (pF)  
L=.25",  
Oil Bath  
(°C/W)  
tp=8.3 ms  
L=.25", Air  
(°C/W)  
T =+25°C  
@I  
A(µA)  
(VO)  
(V)  
(A)  
(ns)  
(°C)  
(°C)  
(°C/W)  
Number  
(A)  
1N6512, US 1,500  
1N6513, US 2,000  
1N6514, US 2,500  
1N6515, US 3,000  
1N6516, US 4,000  
1N6517, US 5,000  
1N6518, US 7,500  
1N6519, US 10,000  
100  
100  
60  
1.5  
1.5  
1.0  
1.0  
70 -65 to +200 -65 to +175  
70 -65 to +200 -65 to +175  
70 -65 to +200 -65 to +175  
70 -65 to +200 -65 to +175  
16  
16  
16  
16  
16  
16  
16  
16  
12  
12  
12  
12  
12  
12  
12  
12  
4
4
4
4
5
5
5
5
1.0  
1.0  
1.0  
1.0  
1.0  
1.0  
1.0  
1.0  
3.5  
3.5  
25  
25  
20  
20  
16  
16  
8
6.0  
60  
6.0  
40  
0.75 70 -65 to +200 -65 to +175  
0.75 70 -65 to +200 -65 to +175  
8.0  
40  
8.0  
25  
0.5  
0.5  
70 -65 to +200 -65 to +175  
70 -65 to +200 -65 to +175  
13.0  
13.0  
25  
8
FEATURES  
BENEFITS / ADVANTAGES  
High Reverse Voltage: 1,500 - 10,000 Volts  
Void Free Ceramic Frit Construction  
Solid Silver Leads  
ƒ For use in high voltage systems including TWT radar applications  
ƒ Excellent cryogenic performance in liquid-to-liquid shock tests  
ƒ High thermal conductivity  
ƒ High switching efficiency; Lower switching losses  
Ultra fast recovery  
ƒ Hyper fast recovery versions available - contact factory  
JAN, JANTX, JANTXV, & JANS screening available  
ƒ Screened to MIL-PRF-19500  
Contact SSDI for more information and to request samples  
Solid State Devices, Inc. | ISO 9001: 2008 & AS9100:2009 Rev. C | (562) 404-4474 | www.ssdi-power.com  
1234

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与JANTX1N6519相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
JANTX1N6519US SSDI

获取价格

 		Rectifier Diode, 1 Element, 0.5A, 10000V V(RRM), Silicon,
JANTX1N6520 VMI

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 		Rectifier Diode, 1 Element, 0.5A, 1500V V(RRM), Silicon,
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 		Rectifier Diode, 1 Element, 0.5A, 2000V V(RRM), Silicon, HERMETIC SEALED PACKAGE-2
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 		Rectifier Diode, 1 Element, 0.25A, 2500V V(RRM), Silicon,
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 		暂无描述
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