5秒后页面跳转
| 是否无铅： | 含铅 | 是否Rohs认证： | 不符合 |
| 生命周期： | Active | 零件包装代码： | DO-213AA |
| 包装说明： | O-LELF-R2 | 针数： | 2 |
| Reach Compliance Code： | compliant | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8541.10.00.70 | 风险等级： | 5.39 |
| 外壳连接： | ISOLATED | 配置： | SINGLE |
| 二极管元件材料： | SILICON | 二极管类型： | RECTIFIER DIODE |
| JESD-30 代码： | O-LELF-R2 | JESD-609代码： | e0 |
| 湿度敏感等级： | 1 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 2 | 最大输出电流： | 0.15 A |
| 封装主体材料： | GLASS | 封装形状： | ROUND |
| 封装形式： | LONG FORM | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 认证状态： | Qualified | 参考标准： | MIL-19500/240J |
| 表面贴装： | YES | 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) |
| 端子形式： | WRAP AROUND | 端子位置： | END |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| JANTX1N6506 | MICROSEMI |
获取价格 |
Rectifier Diode, 8 Element, 0.3A, Silicon, DIP16 |
|
| JANTX1N6508 | MICROSEMI |
获取价格 |
DIODE ARRAY PRODUCT SPECIFICATION |
|
| JANTX1N6509 | MICROSEMI |
获取价格 |
Trans Voltage Suppressor Diode, |
|
| JANTX1N6510 | NSC |
获取价格 |
0.3A, 8 ELEMENT, SILICON, SIGNAL DIODE, FP-16 |
|
| JANTX1N6510 | MICROSEMI |
获取价格 |
Rectifier Diode, |
|
| JANTX1N6511 | NSC |
获取价格 |
UNIDIRECTIONAL, 7 ELEMENT, SILICON, TVS DIODE, DIP-14 |
|
| JANTX1N6511 | MICROSEMI |
获取价格 |
Trans Voltage Suppressor Diode, Unidirectional, 7 Element, Silicon, DIP-14 |
|
| JANTX1N6512 | VMI |
获取价格 |
Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 2A, 1500V V(RRM), Silicon, |
|
| JANTX1N6512 | SSDI |
获取价格 |
1.5 A, 1.5 kV Ultrafast Recovery High Voltage Rectifier |
|
| JANTX1N6512US | SSDI |
获取价格 |
Rectifier Diode, |
|
解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
英伟达新一代Blackwell GPU过热问题致交付延迟
国产厂商思特威CMOS图像传感器芯片单月出货超1亿颗，技术创新引领行业发展
台积电5nm和3nm产能利用率达100%，半导体行业景气度持续攀升
工作时间：9:00-21:00
CEO邮箱：ceo@jiepei.com
投诉邮箱：tousu@jiepei.com
微信公众号
抖音公众号
浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119
营业执照ICP证
技术参数
数据手册
如果您发现信息不准确，
