JANTX1N6508

更新时间： 2024-11-29 23:05:19

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美高森美 - MICROSEMI		整流二极管
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1页	30K
描述
DIODE ARRAY PRODUCT SPECIFICATION

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JANTX1N6508 技术参数

是否无铅：	含铅	是否Rohs认证：	不符合
生命周期：	Active	零件包装代码：	DIP
包装说明：	R-XDIP-T14	针数：	14
Reach Compliance Code：	not_compliant	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.10.00.70	风险等级：	5.36
Is Samacsys：	N	其他特性：	HIGH RELIABILITY
配置：	COMPLEX	二极管元件材料：	SILICON
二极管类型：	RECTIFIER DIODE	JEDEC-95代码：	TO-116
JESD-30 代码：	R-XDIP-T14	JESD-609代码：	e0
元件数量：	16	端子数量：	14
最大输出电流：	0.3 A	封装主体材料：	UNSPECIFIED
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	IN-LINE
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	最大功率耗散：	0.6 W
认证状态：	Qualified	参考标准：	MIL-19500/474
最大反向恢复时间：	0.02 µs	表面贴装：	NO
端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
Base Number Matches：	1

JANTX1N6508 数据手册

1N6508

JANTX, JANTXV

Phone: 617-924-9280

Fax: 617-924-1235

A Microsemi Company

580 Pleasant St.

Watertown, MA 02472

DIODE ARRAY PRODUCT SPECIFICATION

MONOLITHIC AIR ISOLATED

DIODE ARRAY

FEATURES:

· QUALIFIED PARTS LISTING: MIL-PRF-19500/474

· Bv > 60V at 10uA

· Ir < 100nA at 40V

· C < 8.0 pF

Absolute Maximum Ratings:

Symbol

Parameter

Limit

Unit

NOT CONNECTED

VBR(R) *1 *2 Reverse Breakdown Voltage

Vdc

*1 * 3 Continuous Forward Current

300

500

400

600

mAdc

IFSM

PT1

PT2

Top

Tstg

Peak Surge Current (tp= 1/120 s)

Power Dissipation per Junction @ 25°C

Power Dissipation per Package @ 25°C

Operating Junction Temperature Range

Storage Temperature Range

.320

.290

.310

.220

.005

MIN

.200

MAX

.200

.125

.023

.014

-65 to +150 °C

-65 to +200 °C

.785

MAX

.070

.030

NOTE 1: Each Diode

.098

MAX

.100

BSC

NOTE 2: Pulsed: PW = 100ms max.; duty cycle < 20%

NOTE 3: Derate at 2.4mA/°C above +25 °C

NOTE 4: Derate at 4.0mW/°C above +25 °C

.060

.015

.008

O-15

Electrical Characteristics (Per Diode) @

25°C unless otherwise specified

PACKAGE OUTLINE

Symbol Parameter

Conditions

Min

Max Unit

Vf1

Vf2

IR1

tfr

trr

Forward Voltage

Reverse Current

Capacitance (pin to pin)

Forward Recovery Time

Reverse Recovery Time

If = 100mAdc *1

If = 500mAdc *1

VR = 40 Vdc

VR = 0 Vdc ; f = 1MHz

If = 500mAdc

Vdc

1.5 Vdc

0.1 uAdc

8.0 pF

If = IR = 200mAdc, irr = 20mAdc, RL = 100 ohms

NOTE 1: Pulsed: PW = 300us +/- 50us, duty cycle < 2%, 90us after leading edge

Sertech reserves the right to make changes to any product design, specification or other

information at any time without prior notice.

MSC1007.PDF Rev - 11/25/98

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JANTX1N6508 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
1N6508	MICROSEMI	类似代替	MONOLITHIC AIR ISOLATED DIODE ARRAY

与JANTX1N6508相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
JANTX1N6509	MICROSEMI	获取价格	Trans Voltage Suppressor Diode,
JANTX1N6510	NSC	获取价格	0.3A, 8 ELEMENT, SILICON, SIGNAL DIODE, FP-16
JANTX1N6510	MICROSEMI	获取价格	Rectifier Diode,
JANTX1N6511	NSC	获取价格	UNIDIRECTIONAL, 7 ELEMENT, SILICON, TVS DIODE, DIP-14
JANTX1N6511	MICROSEMI	获取价格	Trans Voltage Suppressor Diode, Unidirectional, 7 Element, Silicon, DIP-14
JANTX1N6512	VMI	获取价格	Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 2A, 1500V V(RRM), Silicon,
JANTX1N6512	SSDI	获取价格	1.5 A, 1.5 kV Ultrafast Recovery High Voltage Rectifier
JANTX1N6512US	SSDI	获取价格	Rectifier Diode,
JANTX1N6513	SSDI	获取价格	1.5 A, 2 kV Ultrafast Recovery High Voltage Rectifier
JANTX1N6513U	VMI	获取价格	Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 5A, 2000V V(RRM), Silicon, HERMETIC SEALED PACKAGE-2

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