是否无铅: | 含铅 | 是否Rohs认证: | 不符合 |
生命周期: | Active | 包装说明: | E-LALF-W2 |
Reach Compliance Code: | not_compliant | ECCN代码: | EAR99 |
HTS代码: | 8541.10.00.80 | 风险等级: | 5.27 |
应用: | GENERAL PURPOSE | 外壳连接: | ISOLATED |
配置: | SINGLE | 二极管元件材料: | SILICON |
二极管类型: | RECTIFIER DIODE | 最大正向电压 (VF): | 6 V |
JESD-30 代码: | E-LALF-W2 | JESD-609代码: | e0 |
最大非重复峰值正向电流: | 60 A | 元件数量: | 1 |
相数: | 1 | 端子数量: | 2 |
最高工作温度: | 175 °C | 最大输出电流: | 1.5 A |
封装主体材料: | GLASS | 封装形状: | ELLIPTICAL |
封装形式: | LONG FORM | 峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED |
认证状态: | Qualified | 参考标准: | MIL-19500/575 |
最大重复峰值反向电压: | 3000 V | 最大反向恢复时间: | 0.07 µs |
子类别: | Rectifier Diodes | 表面贴装: | NO |
端子面层: | Tin/Lead (Sn/Pb) | 端子形式: | WIRE |
端子位置: | AXIAL | 处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
JANTX1N6515US | VMI |
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暂无描述 | |
JANTX1N6516 | SSDI |
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0.75 A, 4 kV Ultrafast Recovery High Voltage Rectifier | |
JANTX1N6516U | VMI |
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Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 2A, 4000V V(RRM), Silicon, HERMETIC SEALED PACKAGE-2 | |
JANTX1N6516US | SSDI |
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Rectifier Diode, 1 Element, 0.75A, 4000V V(RRM), Silicon, | |
JANTX1N6517 | VMI |
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Rectifier Diode, 1 Element, 1A, 5000V V(RRM), Silicon, HERMETIC SEALED PACKAGE-2 | |
JANTX1N6517 | SSDI |
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0.75 A, 5 kV Ultrafast Recovery High Voltage Rectifier | |
JANTX1N6517U | VMI |
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Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 2A, 5000V V(RRM), Silicon, HERMETIC SEALED PACKAGE-2 | |
JANTX1N6517US | SSDI |
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Rectifier Diode, 1 Element, 0.75A, 5000V V(RRM), Silicon, | |
JANTX1N6517US | VMI |
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Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 2A, 5000V V(RRM), Silicon, HERMETIC SEALED PACKAGE-2 | |
JANTX1N6518 | VMI |
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Rectifier Diode, 1 Element, 0.5A, 7500V V(RRM), Silicon, |