JANTX1N6491USC

更新时间： 2024-11-30 13:09:03

品牌	Logo	应用领域
美高森美 - MICROSEMI		二极管齐纳二极管测试
页数	文件大小	规格书
2页	125K
描述
Zener Diode, 5.6V V(Z), 2%, 1.5W, Silicon, Unidirectional, HERMETIC SEALED, GLASS PACKAGE-2

阅读下载

中文翻译

获取价格

技术参数
数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

JANTX1N6491USC 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
包装说明：	O-LELF-R2	针数：	2
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.10.00.50	风险等级：	5.44
外壳连接：	ISOLATED	配置：	SINGLE
二极管元件材料：	SILICON	二极管类型：	ZENER DIODE
JESD-30 代码：	O-LELF-R2	JESD-609代码：	e0
元件数量：	1	端子数量：	2
封装主体材料：	GLASS	封装形状：	ROUND
封装形式：	LONG FORM	峰值回流温度（摄氏度）：	225
极性：	UNIDIRECTIONAL	最大功率耗散：	1.5 W
认证状态：	Not Qualified	参考标准：	MIL-19500
标称参考电压：	5.6 V	表面贴装：	YES
技术：	ZENER	端子面层：	TIN LEAD OVER COPPER
端子形式：	WRAP AROUND	端子位置：	END
处于峰值回流温度下的最长时间：	20	最大电压容差：	2%
工作测试电流：	45 mA	Base Number Matches：	1

JANTX1N6491USC 数据手册

1N6485

THRU

1N6491

AND

1N4460

AND

• AVAILABLE IN JAN, JANTX, JANTXV, AND JANS

PER MIL-PRF-19500/406

• 1.5 WATT ZENER DIODES

• NON CAVITY CONSTRUCTION

• METALLURGICALLY BONDED

1N4461

0.060/0.085

MAXIMUM RATINGS

1.52/2.16

Operating Temperature: -65°C to +175°C

Storage Temperature: -65°C to +200°C

Power Dissapation: 1.5W @ T =+25°C

Power Derating: 10mW/°C above T =+25°C

Forward Voltage: 1.0 V dc @ I =200mA dc

1.5 V dc @ I =1A dc

0.125/0.160

3.18/4.06

POLARITY

BAND

(CATHODE)

0.800

20.32

0.028/0.032

0.71/0.81

ELECTRICAL CHARACTERISTICS @ 25°C, unless otherwise specified

ZENER

TEST

DYNAMIC

KNEE

TEST

REVERSE TEST

MAXIMUM V

(REG)

MAXIMUM

SURGE

VOLTAGE CURRENT IMPEDENCE IMPEDENCE CURRENT CURRENT VOLTAGE CURRENT

±5%

TYPE

(MAX.)

I @V

FIGURE 1

ZT ZT

ZK ZT

VOLTS

OHMS

µ A

VOLTS

AMPS

1N6485

1N6486

1N6487

1N6488

3.3

3.6

3.9

4.3

76.0

69.0

64.0

58.0

400

1.0

5.0

1.0

433

397

366

332

.90

.80

.75

.70

4.2

3.9

3.6

3.3

DESIGN DATA

1N6489

1N6490

1N6491

1N4460

1N4461

4.7

5.1

5.6

6.2

6.8

53.0

49.0

45.0

40.0

37.0

2.5

500

600

200

1.0

4.0

1.0

0.5

10.0

5.0

1.0

2.0

3.72

4.08

304

280

255

230

210

.60

.50

.40

.35

.30

3.0

2.7

2.5

2.3

2.1

CASE: Hermetically sealed, Glass “A”

Body per MIL-PRF- 19500/406

D-5A

LEAD MATERIAL: Copper clad steel

LEAD FINISH: Tin / Lead

NOTE: Zener voltage is measured with the device junction in thermal equilibrium at an

ambient temperature of 25°C ± 3°C.

THERMAL RESISTANCE: (R

°C/W maximum at L = .375

): 42

OJL

THERMAL IMPEDANCE: (Z

°C/W maximum

): 4.5

OJX

POLARITY: Diode to be operated with

the banded (cathode) end positive.

MOUNTING POSITION: Any

6 LAKE STREET, LAWRENCE, MASSACHUSETTS 01841

PHONE (978) 620-2600

FAX (781) 689-0803

WEBSITE: http://www.microsemi.com

中文翻译

下载PDF

与JANTX1N6491USC相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
JANTX1N6491USD	MICROSEMI	获取价格	Zener Diode, 5.6V V(Z), 1%, 1.5W, Silicon, Unidirectional, HERMETIC SEALED, GLASS PACKAGE-
JANTX1N6492	MICROSEMI	获取价格	Rectifier Diode,
JANTX1N649UR-1	MICROSEMI	获取价格	Rectifier Diode, 1 Element, 0.15A, Silicon, GLASS, SIMILAR TO DO-213AA, 2 PIN
JANTX1N6506	MICROSEMI	获取价格	Rectifier Diode, 8 Element, 0.3A, Silicon, DIP16
JANTX1N6508	MICROSEMI	获取价格	DIODE ARRAY PRODUCT SPECIFICATION
JANTX1N6509	MICROSEMI	获取价格	Trans Voltage Suppressor Diode,
JANTX1N6510	NSC	获取价格	0.3A, 8 ELEMENT, SILICON, SIGNAL DIODE, FP-16
JANTX1N6510	MICROSEMI	获取价格	Rectifier Diode,
JANTX1N6511	NSC	获取价格	UNIDIRECTIONAL, 7 ELEMENT, SILICON, TVS DIODE, DIP-14
JANTX1N6511	MICROSEMI	获取价格	Trans Voltage Suppressor Diode, Unidirectional, 7 Element, Silicon, DIP-14

与JANTX1N6491USC相关文章

解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
2024-11-18

52
英伟达新一代Blackwell GPU过热问题致交付延迟
2024-11-18

41
国产厂商思特威CMOS图像传感器芯片单月出货超1亿颗，技术创新引领行业发展
2024-11-14

69
台积电5nm和3nm产能利用率达100%，半导体行业景气度持续攀升
2024-11-14

65

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

JANTX1N6491USC

JANTX1N6491USC 技术参数

JANTX1N6491USC 数据手册

与JANTX1N6491USC相关器件

与JANTX1N6491USC相关文章

您还可以找

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

JANTX1N6491USC

JANTX1N6491USC 技术参数

JANTX1N6491USC 数据手册

与JANTX1N6491USC相关器件

与JANTX1N6491USC相关文章

您还可以找

您在本页遇到什么问题？