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JANTV2N5666

更新时间： 2024-11-11 19:12:19
品牌 Logo 应用领域
美高森美 - MICROSEMI /
页数 文件大小 规格书
3页 113K
描述
Power Bipolar Transistor, TO-5, Metal, 3 Pin, TO-5, 3 PIN

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JANTV2N5666 技术参数

生命周期：Obsolete零件包装代码：TO-5
包装说明：CYLINDRICAL, O-MBCY-W3针数：3
Reach Compliance Code：compliant风险等级：5.6
JEDEC-95代码：TO-5JESD-30 代码：O-MBCY-W3
端子数量：3最高工作温度：200 °C
封装主体材料：METAL封装形状：ROUND
封装形式：CYLINDRICAL认证状态：Not Qualified
表面贴装：NO端子形式：WIRE
端子位置：BOTTOMBase Number Matches：1

JANTV2N5666 数据手册

 浏览型号JANTV2N5666的Datasheet PDF文件第2页浏览型号JANTV2N5666的Datasheet PDF文件第3页 
TECHNICAL DATA SHEET  
6 Lake Street, Lawrence, MA 01841  
1-800-446-1158 / (978) 620-2600 / Fax: (978) 689-0803  
Website: http: //www.microsemi.com  
NPN POWER SILICON SWITCHING TRANSISTOR  
Qualified per MIL-PRF-19500/455  
DEVICES  
LEVELS  
2N5664  
2N5665  
2N5666  
2N5666S  
2N5666U3  
2N5667  
2N5667S  
JAN  
JANTX  
JANTV  
JANS  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TC = +25°C unless otherwise noted)  
2N5664  
2N5666, S 2N5667, S  
2N5665  
Parameters / Test Conditions  
Symbol  
Unit  
Collector-Emitter Voltage  
Collector-Base Voltage  
Emitter-Base Voltage  
Base Current  
VCEO  
VCBO  
VEBO  
IB  
200  
250  
300  
400  
Vdc  
Vdc  
Vdc  
Adc  
Adc  
TO-66 (TO-213AA)  
2N5664, 2N5665  
6.0  
1.0  
5.0  
Collector Current  
IC  
2N5664 2N5666, S  
2N5665 2N5667, S  
2N5666U3  
Total  
Power Dissipation  
1/  
@ TA = +25°C  
@ TC = +100°C  
2.5  
30  
1.2  
15  
1.5  
35  
PT  
W
Operating & Storage Junction  
Temperature Range  
TO-5  
2N5666, 2N5667  
TJ, Tstg  
-65 to +200  
°C  
Note: 1) Consult 19500/455 for thermal derating curves.  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (TC = +25°C, unless otherwise noted)  
Parameters / Test Conditions  
Symbol  
Min.  
Max.  
Unit  
OFF CHARACTERTICS  
Collector-Emitter Breakdown Voltage  
TO-39 (TO-205AD)  
2N5666S, 2N5667S  
IC = 10mAdc  
2N5664, 2N5666  
250  
400  
V(BR)CER  
V(BR)EBO  
ICES  
Vdc  
Vdc  
2N5665, 2N5667  
Emitter-Base Breakdown Voltage  
6.0  
IE = 10μAdc  
Collector-Emitter Cutoff Current  
VCE = 200Vdc  
2N5664, 2N5666  
2N5665, 2N5667  
0.2  
0.2  
μAdc  
VCE = 300Vdc  
U-3  
2N5666U3  
Collector-Base Cutoff Current  
VCB = 200Vdc  
2N5664, 2N5666  
2N5665, 2N5667  
0.1  
1.0  
μAdc  
V
CB = 250Vdc  
VCB = 300Vdc  
CB = 400Vdc  
mAdc  
ICBO  
0.1  
1.0  
μAdc  
mAdc  
V
T4-LDS-0062 Rev. 1 (081095)  
Page 1 of 3  
123

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
JANTV2N5666S MICROSEMI

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 		Power Bipolar Transistor, TO-205AD, Metal, 3 Pin, TO-39, 3 PIN
JANTV2N5666U3 MICROSEMI

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JANTV2N5667 MICROSEMI

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JANTX MICROSEMI

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JANTX

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 		Surface Mount Quad NPN Transistor
JANTX(V)2N6796U ETC

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