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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Active |
| 零件包装代码： | MELF | 包装说明： | O-LELF-R2 |
| 针数： | 2 | Reach Compliance Code： | compliant |
| ECCN代码： | EAR99 | HTS代码： | 8541.10.00.50 |
| 风险等级： | 5.61 | Is Samacsys： | N |
| 其他特性： | METALLURGICALLY BONDED, HIGH RELIABILITY | 外壳连接： | ISOLATED |
| 配置： | SINGLE | 二极管元件材料： | SILICON |
| 二极管类型： | ZENER DIODE | JESD-30 代码： | O-LELF-R2 |
| JESD-609代码： | e0 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 2 | 封装主体材料： | GLASS |
| 封装形状： | ROUND | 封装形式： | LONG FORM |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | 235 | 极性： | UNIDIRECTIONAL |
| 最大功率耗散： | 0.5 W | 认证状态： | Qualified |
| 参考标准： | MIL-19500/533 | 标称参考电压： | 180 V |
| 表面贴装： | YES | 技术： | ZENER |
| 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) | 端子形式： | WRAP AROUND |
| 端子位置： | END | 处于峰值回流温度下的最长时间： | 20 |
| 最大电压容差： | 1% | 工作测试电流： | 0.68 mA |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| JANS1N6354US | MICROSEMI |
获取价格 |
Zener Diode, 180V V(Z), 5%, 0.5W, Silicon, Unidirectional, HERMETIC SEALED, GLASS, B, MELF |
|
| JANS1N6355 | MICROSEMI |
获取价格 |
500 mW GLASS ZENER DIODES |
|
| JANS1N6355C | MICROSEMI |
获取价格 |
Zener Diode, 200V V(Z), 2%, 0.5W, Silicon, Unidirectional, DO-35, HERMETIC SEALED, GLASS, |
|
| JANS1N6355D | MICROSEMI |
获取价格 |
Zener Diode, 200V V(Z), 1%, 0.5W, Silicon, Unidirectional, DO-35, HERMETIC SEALED, GLASS, |
|
| JANS1N6355DUS | MICROSEMI |
获取价格 |
Zener Diode, 200V V(Z), 1%, 0.5W, Silicon, Unidirectional, HERMETIC SEALED, GLASS, B, MELF |
|
| JANS1N6391 | MICROSEMI |
获取价格 |
Military Schottky Rectifier |
|
| JANS1N6462US | MICROSEMI |
获取价格 |
Trans Voltage Suppressor Diode, 500W, 6V V(RWM), Unidirectional, 1 Element, Silicon, GLASS |
|
| JANS1N6463US | MICROSEMI |
获取价格 |
Trans Voltage Suppressor Diode, 500W, 12V V(RWM), Unidirectional, 1 Element, Silicon, GLAS |
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| JANS1N6464US | MICROSEMI |
获取价格 |
Trans Voltage Suppressor Diode, 500W, 15V V(RWM), Unidirectional, 1 Element, Silicon, |
|
| JANS1N6466US | MICROSEMI |
获取价格 |
Trans Voltage Suppressor Diode, 500W, 30.5V V(RWM), Unidirectional, 1 Element, Silicon, GL |
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