JANS1N6128AUS

更新时间： 2024-09-16 13:08:59

品牌	Logo	应用领域
美高森美 - MICROSEMI		瞬态抑制器二极管局域网
页数	文件大小	规格书
2页	110K
描述
Trans Voltage Suppressor Diode, 500W, 62.2V V(RWM), Unidirectional, 1 Element, Silicon, HERMETIC SEALED, SURFACE MOUNT PACKAGE-2

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JANS1N6128AUS 技术参数

是否无铅：	含铅	是否Rohs认证：	不符合
生命周期：	Active	包装说明：	O-XELF-N2
针数：	2	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.10.00.50
风险等级：	5.85	Is Samacsys：	N
最小击穿电压：	77.9 V	击穿电压标称值：	82 V
外壳连接：	ISOLATED	最大钳位电压：	112.8 V
配置：	SINGLE	二极管元件材料：	SILICON
二极管类型：	TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE	JESD-30 代码：	O-XELF-N2
JESD-609代码：	e0	湿度敏感等级：	1
最大非重复峰值反向功率耗散：	500 W	元件数量：	1
端子数量：	2	封装主体材料：	UNSPECIFIED
封装形状：	ROUND	封装形式：	LONG FORM
峰值回流温度（摄氏度）：	225	极性：	UNIDIRECTIONAL
最大功率耗散：	1.5 W	认证状态：	Qualified
参考标准：	MIL-19500/516	最大重复峰值反向电压：	62.2 V
子类别：	Transient Suppressors	表面贴装：	YES
技术：	ZENER	端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：	NO LEAD	端子位置：	END
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	Base Number Matches：	1

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
JANS1N6128US	SEMTECH	获取价格	Trans Voltage Suppressor Diode, 500W, 62.2V V(RWM), Unidirectional, 1 Element, Silicon, HE
JANS1N6129	MICROSEMI	获取价格	BIDIRECTIONAL TRANSIENT SUPPRESSORS
JANS1N6129	SEMTECH	获取价格	Trans Voltage Suppressor Diode, 500W, 69.2V V(RWM), Bidirectional, 2 Element, Silicon, HER
JANS1N6129A	MICROSEMI	获取价格	BIDIRECTIONAL TRANSIENT SUPPRESSORS
JANS1N6129A	SEMTECH	获取价格	Trans Voltage Suppressor Diode, 500W, 69.2V V(RWM), Bidirectional, 2 Element, Silicon, HER
JANS1N6129A	SENSITRON	获取价格	500 W Transient Voltage Suppressor
JANS1N6129A/TR	MICROSEMI	获取价格	Trans Voltage Suppressor Diode, 500W, 69.2V V(RWM), Bidirectional, 1 Element, Silicon,
JANS1N6129AUS	SEMTECH	获取价格	Trans Voltage Suppressor Diode, 500W, 69.2V V(RWM), Unidirectional, 1 Element, Silicon, HE
JANS1N6129AUS	SENSITRON	获取价格	500 W Transient Voltage Suppressor SM
JANS1N6129US	SEMTECH	获取价格	Trans Voltage Suppressor Diode, 500W, 69.2V V(RWM), Unidirectional, 1 Element, Silicon, HE