5秒后页面跳转
| 是否无铅： | 含铅 | 是否Rohs认证： | 不符合 |
| 生命周期： | Active | 零件包装代码： | MELF |
| 包装说明： | O-LELF-R2 | 针数： | 2 |
| Reach Compliance Code： | compliant | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8541.10.00.50 | 风险等级： | 5.36 |
| 其他特性： | HIGH RELIABILITY | 最小击穿电压： | 10.45 V |
| 外壳连接： | ISOLATED | 配置： | SINGLE |
| 二极管元件材料： | SILICON | 二极管类型： | TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE |
| JESD-30 代码： | O-LELF-R2 | JESD-609代码： | e0 |
| 最大非重复峰值反向功率耗散： | 500 W | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 2 | 封装主体材料： | GLASS |
| 封装形状： | ROUND | 封装形式： | LONG FORM |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 极性： | BIDIRECTIONAL |
| 最大功率耗散： | 2 W | 认证状态： | Qualified |
| 参考标准： | MIL-19500/516 | 最大重复峰值反向电压： | 8.4 V |
| 表面贴装： | YES | 技术： | AVALANCHE |
| 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) | 端子形式： | WRAP AROUND |
| 端子位置： | END | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
| JANTXV1N6107A | MICROSEMI |
完全替代  |
BIDIRECTIONAL TRANSIENT SUPPRESSORS |
|
| JANS1N6107A | MICROSEMI |
完全替代 |
BIDIRECTIONAL TRANSIENT SUPPRESSORS |
|
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| JANS1N6107US | SEMTECH |
获取价格 |
Trans Voltage Suppressor Diode, 500W, 8.4V V(RWM), Unidirectional, 1 Element, Silicon, HER |
|
| JANS1N6107US | MICROSEMI |
获取价格 |
Trans Voltage Suppressor Diode, 500W, 8.4V V(RWM), Bidirectional, 1 Element, Silicon, |
|
| JANS1N6108 | MICROSEMI |
获取价格 |
BIDIRECTIONAL TRANSIENT SUPPRESSORS |
|
| JANS1N6108 | SEMTECH |
获取价格 |
Trans Voltage Suppressor Diode, 500W, 9.1V V(RWM), Bidirectional, 2 Element, Silicon, HERM |
|
| JANS1N6108A | MICROSEMI |
获取价格 |
BIDIRECTIONAL TRANSIENT SUPPRESSORS |
|
| JANS1N6108A | SEMTECH |
获取价格 |
Trans Voltage Suppressor Diode, 500W, 9.1V V(RWM), Bidirectional, 2 Element, Silicon, HERM |
|
| JANS1N6108A | SENSITRON |
获取价格 |
500 W Transient Voltage Suppressor |
|
| JANS1N6108AUS | SEMTECH |
获取价格 |
Trans Voltage Suppressor Diode, 500W, 9.1V V(RWM), Unidirectional, 1 Element, Silicon, HER |
|
| JANS1N6108AUS | SENSITRON |
获取价格 |
500 W Transient Voltage Suppressor SM |
|
| JANS1N6108US | SEMTECH |
获取价格 |
Trans Voltage Suppressor Diode, 500W, 9.1V V(RWM), Unidirectional, 1 Element, Silicon, HER |
|
解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
英伟达新一代Blackwell GPU过热问题致交付延迟
国产厂商思特威CMOS图像传感器芯片单月出货超1亿颗，技术创新引领行业发展
台积电5nm和3nm产能利用率达100%，半导体行业景气度持续攀升
工作时间：9:00-21:00
CEO邮箱：ceo@jiepei.com
投诉邮箱：tousu@jiepei.com
微信公众号
抖音公众号
浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119
营业执照ICP证
技术参数
数据手册
替代型号
如果您发现信息不准确，
