是否无铅: | 含铅 | 是否Rohs认证: | 不符合 |
生命周期: | Active | 包装说明: | O-LALF-W2 |
针数: | 2 | Reach Compliance Code: | compliant |
ECCN代码: | EAR99 | HTS代码: | 8541.10.00.50 |
风险等级: | 5.2 | Is Samacsys: | N |
其他特性: | HIGH RELIABILITY, METALLURGICALLY BONDED | 外壳连接: | ISOLATED |
配置: | SINGLE | 二极管元件材料: | SILICON |
二极管类型: | ZENER DIODE | 最大动态阻抗: | 1500 Ω |
JEDEC-95代码: | DO-41 | JESD-30 代码: | O-LALF-W2 |
JESD-609代码: | e0 | 元件数量: | 1 |
端子数量: | 2 | 最高工作温度: | 175 °C |
最低工作温度: | -65 °C | 封装主体材料: | GLASS |
封装形状: | ROUND | 封装形式: | LONG FORM |
峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED | 极性: | UNIDIRECTIONAL |
最大功率耗散: | 1.5 W | 认证状态: | Qualified |
参考标准: | MIL-19500 | 标称参考电压: | 200 V |
子类别: | Voltage Reference Diodes | 表面贴装: | NO |
技术: | ZENER | 端子面层: | Tin/Lead (Sn/Pb) |
端子形式: | WIRE | 端子位置: | AXIAL |
处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED | 最大电压容差: | 5% |
工作测试电流: | 1.2 mA | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
NTE5105A | NTE |
功能相似 |
Zener Diode, 1 Watt ±5% Tolerance | |
3EZ200 | DIOTEC |
功能相似 |
Silicon-Power-Z-Diodes (non-planar technology) | |
Z1200 | EIC |
功能相似 |
SILICON ZENER DIODES |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
JANS1N4496CME3 | MICROSEMI |
获取价格 |
VOIDLESS HERMETICALLY SEALED 1.5 WATT GLASS ZENER DIODES | |
JANS1N4496CUS | MICROSEMI |
获取价格 |
暂无描述 | |
JANS1N4496DME3 | MICROSEMI |
获取价格 |
VOIDLESS HERMETICALLY SEALED 1.5 WATT GLASS ZENER DIODES | |
JANS1N4496ME3 | MICROSEMI |
获取价格 |
VOIDLESS HERMETICALLY SEALED 1.5 WATT GLASS ZENER DIODES | |
JANS1N4496US | MICROSEMI |
获取价格 |
1.5 WATT GLASS ZENER DIODES | |
JANS1N4496US | SENSITRON |
获取价格 |
Zener Diodes | |
JANS1N4496USC | MICROSEMI |
获取价格 |
暂无描述 | |
JANS1N4496USD | MICROSEMI |
获取价格 |
暂无描述 | |
JANS1N4565 | MICROSEMI |
获取价格 |
6.4 Volt Temperature Compensated Zener Reference Diodes | |
JANS1N4565-1 | MICROSEMI |
获取价格 |
6.4 Volt Temperature Compensated Zener Reference Diodes |