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| 生命周期： | Active | 包装说明： | CYLINDRICAL, O-MBCY-W3 |
| Reach Compliance Code： | compliant | 风险等级： | 5.8 |
| 最大集电极电流 (IC)： | 0.6 A | 集电极-发射极最大电压： | 40 V |
| 配置： | SINGLE | 最小直流电流增益 (hFE)： | 30 |
| JEDEC-95代码： | TO-205AD | JESD-30 代码： | O-MBCY-W3 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 最高工作温度： | 200 °C | 最低工作温度： | -65 °C |
| 封装主体材料： | METAL | 封装形状： | ROUND |
| 封装形式： | CYLINDRICAL | 极性/信道类型： | PNP |
| 表面贴装： | NO | 端子形式： | WIRE |
| 端子位置： | BOTTOM | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | 标称过渡频率 (fT)： | 200 MHz |
| 最大关闭时间（toff）： | 300 ns | 最大开启时间（吨）： | 45 ns |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| JANKCB2N2906A | MICROSEMI |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor, 0.6A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, DIE-3 |
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| JANKCB2N2907A | MICROSEMI |
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Small Signal Bipolar Transistor, 0.6A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, DIE-3 |
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| JANKCBF2N2904 | MICROSEMI |
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Small Signal Bipolar Transistor, 0.6A I(C), 40V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-205A |
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| JANKCC1N984D | MICROSEMI |
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Zener Diode, 91V V(Z), 1%, 0.4W, |
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| JANKCCD6676 | CDI-DIODE |
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Rectifier Diode, |
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| JANKCCD6677 | CDI-DIODE |
获取价格 |
Rectifier Diode, |
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| JANKCCD821 | MICROSEMI |
获取价格 |
Zener Diode, 6.2V V(Z), 4.84%, Silicon, DIE-3 |
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| JANKCCD821A | MICROSEMI |
获取价格 |
Zener Diode, 6.2V V(Z), 4.84%, Silicon, DIE-3 |
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| JANKCCD823A | MICROSEMI |
获取价格 |
Zener Diode, 6.2V V(Z), 4.84%, Silicon, DIE-3 |
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| JANKCCD825A | MICROSEMI |
获取价格 |
Zener Diode, 6.2V V(Z), 4.84%, Silicon, DIE-3 |
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