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| 是否无铅： | 含铅 | 是否Rohs认证： | 不符合 |
| 生命周期： | Active | 包装说明： | O-LALF-W2 |
| Reach Compliance Code： | compliant | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8541.10.00.50 | 风险等级： | 5.46 |
| Is Samacsys： | N | 其他特性： | HIGH RELIABILITY |
| 外壳连接： | ISOLATED | 配置： | SINGLE |
| 二极管元件材料： | SILICON | 二极管类型： | TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE |
| JESD-30 代码： | O-LALF-W2 | JESD-609代码： | e0 |
| 最大非重复峰值反向功率耗散： | 1500 W | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 2 | 最高工作温度： | 175 °C |
| 最低工作温度： | -55 °C | 封装主体材料： | GLASS |
| 封装形状： | ROUND | 封装形式： | LONG FORM |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 极性： | BIDIRECTIONAL |
| 最大功率耗散： | 3 W | 认证状态： | Qualified |
| 参考标准： | MIL-19500 | 最大重复峰值反向电压： | 152 V |
| 表面贴装： | NO | 技术： | AVALANCHE |
| 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) | 端子形式： | WIRE |
| 端子位置： | AXIAL | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| JAN1N6173A | SEMTECH |
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Trans Voltage Suppressor Diode, 1500W, 152V V(RWM), Bidirectional, 2 Element, Silicon, HER |
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| JAN1N6173A | MICROSEMI |
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BIDIRECTIONAL TRANSIENT SUPPRESSORS |
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| JAN1N6173AUS | SEMTECH |
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Trans Voltage Suppressor Diode, 1500W, 152V V(RWM), Unidirectional, 1 Element, Silicon, |
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| JAN1N6173US | MICROSEMI |
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Trans Voltage Suppressor Diode, 1500W, 152V V(RWM), Unidirectional, 1 Element, Silicon, ME |
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| JAN1N6304 | MICROSEMI |
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Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 70A, 50V V(RRM), Silicon, DO-203AB, DO-5, 1 PIN |
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| JAN1N6304R | MICROSEMI |
获取价格 |
Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 70A, 50V V(RRM), Silicon, DO-203AB, DO-5, 1 PIN |
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| JAN1N6305 | MICROSEMI |
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Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 70A, 100V V(RRM), Silicon, DO-203AB, DO-5, 1 PIN |
|
| JAN1N6305R | MICROSEMI |
获取价格 |
Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 70A, 100V V(RRM), Silicon, DO-203AB, DO-5, 1 PIN |
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| JAN1N6306 | MICROSEMI |
获取价格 |
Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 70A, 150V V(RRM), Silicon, DO-203AB, DO-5, 1 PIN |
|
| JAN1N6306R | MICROSEMI |
获取价格 |
Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 70A, 150V V(RRM), Silicon, DO-203AB, DO-5, 1 PIN |
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