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JAN1N6305R

更新时间: 2024-12-01 14:51:43
品牌 Logo 应用领域
美高森美 - MICROSEMI 功效二极管
页数 文件大小 规格书
2页 122K
描述
Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 70A, 100V V(RRM), Silicon, DO-203AB, DO-5, 1 PIN

JAN1N6305R 技术参数

是否无铅: 含铅是否Rohs认证: 不符合
生命周期:Active零件包装代码:DO-5
包装说明:O-MUPM-D1针数:1
Reach Compliance Code:compliantECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.10.00.80风险等级:5.21
应用:EFFICIENCY外壳连接:ANODE
配置:SINGLE二极管元件材料:SILICON
二极管类型:RECTIFIER DIODE最大正向电压 (VF):0.975 V
JEDEC-95代码:DO-203ABJESD-30 代码:O-MUPM-D1
JESD-609代码:e0最大非重复峰值正向电流:800 A
元件数量:1相数:1
端子数量:1最高工作温度:175 °C
最低工作温度:-65 °C最大输出电流:70 A
封装主体材料:METAL封装形状:ROUND
封装形式:POST/STUD MOUNT峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED
认证状态:Qualified参考标准:MIL-19500/550B
最大重复峰值反向电压:100 V最大反向电流:25 µA
最大反向恢复时间:0.05 µs子类别:Rectifier Diodes
表面贴装:NO端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式:SOLDER LUG端子位置:UPPER
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIEDBase Number Matches:1

JAN1N6305R 数据手册

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