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JAN1N6310US

更新时间: 2024-09-26 13:08:59
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美高森美 - MICROSEMI 二极管齐纳二极管测试
页数 文件大小 规格书
2页 100K
描述
Zener Diode, 2.7V V(Z), 5%, 0.5W, Silicon, Unidirectional,

JAN1N6310US 技术参数

是否Rohs认证:不符合生命周期:Obsolete
针数:2Reach Compliance Code:compliant
ECCN代码:EAR99HTS代码:8541.10.00.50
风险等级:5.19Is Samacsys:N
外壳连接:ISOLATED配置:SINGLE
二极管元件材料:SILICON二极管类型:ZENER DIODE
JESD-30 代码:O-XELF-R2JESD-609代码:e0
元件数量:1端子数量:2
封装主体材料:UNSPECIFIED封装形状:ROUND
封装形式:LONG FORM极性:UNIDIRECTIONAL
最大功率耗散:0.5 W认证状态:Qualified
参考标准:MIL-19500/533F标称参考电压:2.7 V
表面贴装:YES技术:ZENER
端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)端子形式:WRAP AROUND
端子位置:END最大电压容差:5%
工作测试电流:20 mABase Number Matches:1

JAN1N6310US 数据手册

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Zener Diode, 3.3V V(Z), 2%, 0.5W, Silicon, Unidirectional,