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JAN1N6314US

更新时间: 2024-11-30 20:51:07
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美高森美 - MICROSEMI 测试二极管
页数 文件大小 规格书
2页 96K
描述
Zener Diode, 3.9V V(Z), 5%, 0.5W, Silicon, Unidirectional,

JAN1N6314US 技术参数

是否Rohs认证: 不符合生命周期:Active
包装说明:O-XELF-R2针数:2
Reach Compliance Code:compliantECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.10.00.50风险等级:5.17
外壳连接:ISOLATED配置:SINGLE
二极管元件材料:SILICON二极管类型:ZENER DIODE
JESD-30 代码:O-XELF-R2JESD-609代码:e0
元件数量:1端子数量:2
封装主体材料:UNSPECIFIED封装形状:ROUND
封装形式:LONG FORM峰值回流温度(摄氏度):235
极性:UNIDIRECTIONAL最大功率耗散:0.5 W
认证状态:Qualified参考标准:MIL-19500/533F
标称参考电压:3.9 V表面贴装:YES
技术:ZENER端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式:WRAP AROUND端子位置:END
处于峰值回流温度下的最长时间:20最大电压容差:5%
工作测试电流:20 mABase Number Matches:1

JAN1N6314US 数据手册

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