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Datasheet > 二极管 > 齐纳二极管> JAN1N6318US
JAN1N6318US PDF预览

JAN1N6318US

更新时间： 2023-07-15 00:00:00
品牌 Logo 应用领域
CDI-DIODE 二极管齐纳二极管
页数 文件大小 规格书
2页 108K
描述
Zener Diode, 5.6V V(Z), 5%, 0.5W, Silicon, Unidirectional, HERMETIC SEALED, GLASS, D-5D, 2 PIN

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JAN1N6318US 技术参数

生命周期：ActiveReach Compliance Code：unknown
风险等级：5.69二极管类型：ZENER DIODE
Base Number Matches：1

JAN1N6318US 数据手册

 浏览型号JAN1N6318US的Datasheet PDF文件第2页 
1N6309US  
THRU  
• AVAILABLE IN JAN, JANTX, JANTXV AND JANS  
PER MIL-PRF-19500/533  
1N6320US  
• 500 mW ZENER DIODES  
• NON CAVITY CONSTRUCTION  
• METALLURGICALLY BONDED  
MAXIMUM RATINGS  
Operating Temperature: -65°C to +175°C  
Storage Temperature: -65°C to +175°C  
Power Dissapation: 500 mW@T =+125ºC  
EC  
Power Derating: 10 mW/°C above T =+125ºC  
EC  
Forward Voltage: 1.4V dc @ I =1A dc (pulsed)  
F
MILLIMETERS  
INCHES  
DIM MIN  
MAX  
2.16  
0.71  
4.95  
MIN MAX  
0.070 0.085  
0.019 0.028  
0.165 0.195  
0.003MIN.  
D
F
G
1.78  
0.48  
4.19  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS @ 25°C, unless otherwise specified  
S
0.08MIN.  
V
NOM.  
V
MIN.  
I
Z
@
Z
@
I
V
(reg)  
I
V
I
I
N
D
@250 µA  
Z2  
Z1  
Z2  
Z
ZK  
ZM  
Z
ZSM  
SURGE  
R
R1  
@
R2  
@
TEST  
TYPE  
±5% @  
@I  
250µ A  
CURRENT  
I
250µ A  
▲
(1)  
VZ  
25ºC TA=  
150ºC  
1-3 kHz  
Z1  
Z2  
FIGURE 1  
I
Z2  
VOLTS VOLTS  
mA  
OHMS  
OHMS  
mA  
VOLTS AMPS VOLTS µ A  
µ A µ V/ Hz  
1N6309US  
1N6310US  
1N6311US  
1N6312US  
2.4  
2.7  
3.0  
3.3  
1.1  
1.2  
1.3  
1.5  
20  
20  
20  
20  
30  
30  
29  
24  
1200  
1300  
1400  
1400  
177  
157  
141  
128  
1.5  
1.5  
1.5  
1.6  
2.5  
2.2  
2.0  
1.8  
1.0  
1.0  
1.0  
1.0  
100  
60  
30  
200  
150  
100  
20  
1.0  
1.0  
1.0  
1.0  
DESIGN DATA  
5.0  
1N6313US  
1N6314US  
1N6315US  
1N6316US  
3.6  
3.9  
4.3  
4.7  
1.8  
2.0  
2.4  
2.8  
20  
20  
20  
20  
22  
20  
18  
16  
1400  
1700  
1400  
1500  
117  
108  
99  
1.6  
1.6  
0.9  
0.5  
1.65  
1.5  
1.4  
1.0  
1.0  
1.0  
1.5  
3.0  
2.0  
2.0  
5.0  
12  
12  
12  
12  
1.0  
1.0  
1.0  
1.0  
CASE: D-5D, Hermetically sealed glass  
case, per MIL-PRF- 19500/533  
90  
1.27  
1N6317US  
1N6318US  
1N6319US  
1N6320US  
5.1  
5.6  
6.2  
6.8  
3.3  
4.3  
5.2  
6.0  
20  
20  
20  
20  
14  
8.0  
3.0  
3.0  
1300  
1200  
800  
83  
76  
68  
63  
0.4  
0.4  
0.3  
1.17  
1.10  
0.97  
1.23  
2.0  
2.5  
3.5  
4.0  
5.0  
5.0  
5.0  
2.0  
12  
10  
10  
50  
1.0  
2.0  
5.0  
5.0  
LEAD FINISH: Tin / Lead  
400  
0.35  
THERMAL RESISTANCE: (R  
50 ˚C/W maximum  
):  
OJEC  
NOTE 1:  
▲ V = V @ 20 mAdc minus V @ 2mAdc  
Z Z Z  
THERMAL IMPEDANCE: (Z  
˚C/W maximum  
): 15  
OJX  
POLARITY: Diode to be operated with  
the banded (cathode) end positive.  
MOUNTING SURFACE SELECTION:  
The Axial Coefficient of Expansion  
(COE) of this device is approximately  
+ 4PPM / °C. The COE of the Mounting  
Surface System should be selected to  
provide a suitable match with this  
device.  
22 COREY STREET, MELROSE, MASSACHUSETTS 02176  
PHONE (781) 665-1071  
WEBSITE: http://www.cdi-diodes.com  
FAX (781) 665-7379  
E-mail: mail@cdi-diodes.com  
12

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与JAN1N6318US相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
JAN1N6319 MICROSEMI

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 		500 mW GLASS ZENER DIODES
JAN1N6319C MICROSEMI

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 		Zener Diode, 6.2V V(Z), 2%, 0.5W, Silicon, Unidirectional, DO-35, DO-35, 2 PIN
JAN1N6319D MICROSEMI

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 		Zener Diode, 6.2V V(Z), 1%, 0.5W, Silicon, Unidirectional, DO-35, DO-35, 2 PIN
JAN1N6319DUS MICROSEMI

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 		Zener Diode, 6.2V V(Z), 1%, 0.5W, Silicon, Unidirectional,
JAN1N6319US CDI-DIODE

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 		Zener Diode, 6.2V V(Z), 5%, 0.5W, Silicon, Unidirectional, HERMETIC SEALED, GLASS, D-5D, 2
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 		Zener Diode, 6.2V V(Z), Silicon, Unidirectional, MELF-2
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 		Zener Diode, 6.8V V(Z), Silicon, Unidirectional, DO-35,
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 		Zener Diode, 6.8V V(Z), 5%, 0.5W, Silicon, Unidirectional, DO-35, DO-35, 2 PIN
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