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JAN1N6320US

更新时间: 2023-01-03 03:39:55
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美高森美 - MICROSEMI 测试二极管
页数 文件大小 规格书
1页 117K
描述
Zener Diode, 6.8V V(Z), 5%, 0.5W, Silicon, Unidirectional,

JAN1N6320US 技术参数

是否Rohs认证: 不符合生命周期:Active
包装说明:O-LELF-R2Reach Compliance Code:unknown
风险等级:5.7其他特性:HIGH RELIABILITY
外壳连接:ISOLATED配置:SINGLE
二极管元件材料:SILICON二极管类型:ZENER DIODE
JESD-30 代码:O-LELF-R2JESD-609代码:e0
元件数量:1端子数量:2
最高工作温度:175 °C最低工作温度:-65 °C
封装主体材料:GLASS封装形状:ROUND
封装形式:LONG FORM峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED
极性:UNIDIRECTIONAL最大功率耗散:0.5 W
参考标准:MIL-19500标称参考电压:6.8 V
表面贴装:YES技术:ZENER
端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)端子形式:WRAP AROUND
端子位置:END处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
最大电压容差:5%工作测试电流:20 mA
Base Number Matches:1

JAN1N6320US 数据手册

  

JAN1N6320US 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
JANS1N6320US MICROSEMI

完全替代

Zener Diode, 6.8V V(Z), 5%, 0.5W, Silicon, Unidirectional,
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