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JAN1N6306 PDF预览

JAN1N6306

更新时间： 2024-12-02 07:12:19
品牌 Logo 应用领域
美高森美 - MICROSEMI /
页数 文件大小 规格书
3页 133K
描述
Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 70A, 150V V(RRM), Silicon, DO-203AB, DO-5, 1 PIN

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JAN1N6306 数据手册

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TECHNICAL DATA SHEET  
6 Lake Street, Lawrence, MA 01841  
1-800-446-1158 / (978) 620-2600 / Fax: (978) 689-0803  
Website: http://www.microsemi.com  
HIGH RELIABILITY ULTRA FAST RECOVERY RECTIFIER  
Qualified per MIL-PRF-19500/550  
• 800 Amps Surge Rating  
• VRRM 50 to 150 Volts  
• 70 Amps Current Rating  
DEVICES  
LEVELS  
JAN  
JANTX  
JANTXV  
1N6304  
1N6305  
1N6306  
1N6304R  
1N6305R  
1N6306R  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TC = +25°C unless otherwise noted)  
Parameters / Test Conditions  
Symbol  
VRWM  
Value  
Unit  
1N6304 / R  
50  
100  
150  
Peak Repetitive Reverse Voltage  
1N6305 / R  
1N6306 / R  
V
1N6304 / R  
1N6305 / R  
1N6306 / R  
50  
100  
150  
Peak Working Reverse Voltage  
VRRM  
V
Average Forward Current, TC = 100°  
IF  
70  
800  
A
A
Peak Surge Forward Current @ tp = 8.3ms, half sinewave, TC = 55°C  
Thermal Resistance, Junction to Case  
IFSM  
RθJC  
TJ  
0.8  
°C/W  
°C  
Operating Junction Temperature Range  
-65°C to 175°C  
-65°C to 175°C  
DO-203AB (DO-5)  
Storage Temperature Range  
Tstg  
°C  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (TA = +25°C, unless otherwise noted)  
Parameters / Test Conditions  
Symbol  
Min.  
Max.  
Unit  
Forward Voltage  
IFM = 70A, TC = 25°C*  
VFM  
VFM  
VFM  
0.975  
V
Forward Voltage  
IFM = 150A, TC = 25°C*  
1.18  
0.84  
V
V
Forward Voltage  
IFM = 70A, TC = 150°C*  
Reverse Current  
VRM = 50V, TC = 25°C  
VRM = 100V, TC = 25°C  
1N6304 / R  
1N6305 / R  
1N6306 / R  
IRM  
25  
30  
μA  
VRM = 150V, TC= 25°C  
Reverse Current  
VRM = 50V, TC = 150°C  
1N6304 / R  
1N6305 / R  
1N6306 / R  
IRM  
mA  
VRM = 100V, TC = 150°C  
VRM = 150V, TC = 150°C  
Reverse Recovery Time  
IF = 0.5A, IR = 1A  
Trr  
Trr  
CJ  
50  
60  
ns  
ns  
pF  
Reverse Recovery Time  
IF = 70A  
Capacitance Junction  
VR = 10V, f = 1MHz, TJ = 25°C  
600  
* Pulse test: Pulse width 300 µsec, Duty cycle 2%  
T4-LDS-0146 Rev. 1 (091812)  
Page 1 of 3  
123

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JAN1N6306 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
JANTXV1N6306 MICROSEMI

完全替代

 Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 70A, 150V V(RRM), Silicon, DO-203AB, DO-5, 1 PIN
JANTX1N6306R MICROSEMI

完全替代

 Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 70A, 150V V(RRM), Silicon, DO-203AB, DO-5, 1 PIN
JANTX1N6306 MICROSEMI

完全替代

 HIGH RELIABILITY ULTRA FAST RECOVERY RECTIFIER

与JAN1N6306相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
JAN1N6306R MICROSEMI

获取价格

 		Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 70A, 150V V(RRM), Silicon, DO-203AB, DO-5, 1 PIN
JAN1N6309 MICROSEMI

获取价格

 		500 mW GLASS ZENER DIODES
JAN1N6309D MICROSEMI

获取价格

 		Zener Diode, 2.4V V(Z), 1%, 0.5W, Silicon, Unidirectional, DO-35, DO-35, 2 PIN
JAN1N6309DUS MICROSEMI

获取价格

 		Zener Diode, 2.4V V(Z), 1%, 0.5W, Silicon, Unidirectional,
JAN1N6309US CDI-DIODE

获取价格

 		Zener Diode, 2.4V V(Z), 5%, 0.5W, Silicon, Unidirectional, HERMETIC SEALED, GLASS, D-5D, 2
JAN1N6310 MICROSEMI

获取价格

 		500 mW GLASS ZENER DIODES
JAN1N6310C MICROSEMI

获取价格

 		Zener Diode, 2.7V V(Z), 2%, 0.5W, Silicon, Unidirectional, DO-35, DO-35, 2 PIN
JAN1N6310CUS MICROSEMI

获取价格

 		Zener Diode, 2.7V V(Z), 2%, 0.5W, Silicon, Unidirectional,
JAN1N6310D MICROSEMI

获取价格

 		Zener Diode, 2.7V V(Z), 1%, 0.5W, Silicon, Unidirectional, DO-35, DO-35, 2 PIN
JAN1N6310DUS MICROSEMI

获取价格

 		Zener Diode, 2.7V V(Z), 1%, 0.5W, Silicon, Unidirectional,

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