5秒后页面跳转
JAN1N6144A PDF预览

JAN1N6144A

更新时间: 2024-11-09 11:20:59
品牌 Logo 应用领域
美高森美 - MICROSEMI 瞬态抑制器二极管
页数 文件大小 规格书
2页 110K
描述
BIDIRECTIONAL TRANSIENT SUPPRESSORS

JAN1N6144A 技术参数

是否无铅: 含铅是否Rohs认证: 不符合
生命周期:Active包装说明:O-LALF-W2
针数:2Reach Compliance Code:compliant
ECCN代码:EAR99HTS代码:8541.10.00.50
风险等级:5.46其他特性:HIGH RELIABILITY
最小击穿电压:11.4 V外壳连接:ISOLATED
配置:SINGLE二极管元件材料:SILICON
二极管类型:TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODEJESD-30 代码:O-LALF-W2
JESD-609代码:e0最大非重复峰值反向功率耗散:1500 W
元件数量:1端子数量:2
最高工作温度:175 °C最低工作温度:-55 °C
封装主体材料:GLASS封装形状:ROUND
封装形式:LONG FORM峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED
极性:BIDIRECTIONAL最大功率耗散:3 W
认证状态:Qualified参考标准:MIL-19500
最大重复峰值反向电压:9.1 V表面贴装:NO
技术:AVALANCHE端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式:WIRE端子位置:AXIAL
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIEDBase Number Matches:1

JAN1N6144A 数据手册

 浏览型号JAN1N6144A的Datasheet PDF文件第2页 

与JAN1N6144A相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
JAN1N6144AUS MICROSEMI

获取价格

Trans Voltage Suppressor Diode, 1500W, 9.1V V(RWM), Unidirectional, 1 Element, Silicon, ME
JAN1N6144US MICROSEMI

获取价格

Trans Voltage Suppressor Diode, 1500W, 9.1V V(RWM), Unidirectional, 1 Element, Silicon, ME
JAN1N6144US SEMTECH

获取价格

Trans Voltage Suppressor Diode, 1500W, 9.1V V(RWM), Unidirectional, 1 Element, Silicon,
JAN1N6145 MICROSEMI

获取价格

BIDIRECTIONAL TRANSIENT SUPPRESSORS
JAN1N6145A MICROSEMI

获取价格

BIDIRECTIONAL TRANSIENT SUPPRESSORS
JAN1N6145A SEMTECH

获取价格

Trans Voltage Suppressor Diode, 1500W, 9.9V V(RWM), Bidirectional, 2 Element, Silicon, HER
JAN1N6145AUS SEMTECH

获取价格

Trans Voltage Suppressor Diode, 1500W, 9.9V V(RWM), Unidirectional, 1 Element, Silicon,
JAN1N6145US SEMTECH

获取价格

Trans Voltage Suppressor Diode, 1500W, 9.9V V(RWM), Unidirectional, 1 Element, Silicon,
JAN1N6146 MICROSEMI

获取价格

BIDIRECTIONAL TRANSIENT SUPPRESSORS
JAN1N6146A SEMTECH

获取价格

Trans Voltage Suppressor Diode, 1500W, 11.4V V(RWM), Bidirectional, 2 Element, Silicon, HE