JAN1N6146A

更新时间： 2024-11-23 11:20:59

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美高森美 - MICROSEMI		瞬态抑制器二极管局域网
页数	文件大小	规格书
2页	110K
描述
BIDIRECTIONAL TRANSIENT SUPPRESSORS

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JAN1N6146A 技术参数

是否无铅：	含铅	是否Rohs认证：	不符合
生命周期：	Active	包装说明：	O-LALF-W2
针数：	2	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.10.00.50
风险等级：	2.01	Is Samacsys：	N
其他特性：	HIGH RELIABILITY	最小击穿电压：	14.25 V
外壳连接：	ISOLATED	配置：	SINGLE
二极管元件材料：	SILICON	二极管类型：	TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE
JESD-30 代码：	O-LALF-W2	JESD-609代码：	e0
最大非重复峰值反向功率耗散：	1500 W	元件数量：	1
端子数量：	2	最高工作温度：	175 °C
最低工作温度：	-55 °C	封装主体材料：	GLASS
封装形状：	ROUND	封装形式：	LONG FORM
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性：	BIDIRECTIONAL
最大功率耗散：	3 W	认证状态：	Qualified
参考标准：	MIL-19500	最大重复峰值反向电压：	11.4 V
表面贴装：	NO	技术：	AVALANCHE
端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)	端子形式：	WIRE
端子位置：	AXIAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
Base Number Matches：	1

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
JAN1N6146AUS	SEMTECH	获取价格	Trans Voltage Suppressor Diode, 1500W, 11.4V V(RWM), Unidirectional, 1 Element, Silicon,
JAN1N6146US	MICROSEMI	获取价格	Trans Voltage Suppressor Diode, 1500W, 11.4V V(RWM), Unidirectional, 1 Element, Silicon, M
JAN1N6147	MICROSEMI	获取价格	BIDIRECTIONAL TRANSIENT SUPPRESSORS
JAN1N6147A	MICROSEMI	获取价格	BIDIRECTIONAL TRANSIENT SUPPRESSORS
JAN1N6147A	SEMTECH	获取价格	Trans Voltage Suppressor Diode, 1500W, 12.2V V(RWM), Bidirectional, 2 Element, Silicon, HE
JAN1N6147AUS	MICROSEMI	获取价格	Trans Voltage Suppressor Diode, 1500W, 12.2V V(RWM), Unidirectional, 1 Element, Silicon, M
JAN1N6147AUS	SEMTECH	获取价格	Trans Voltage Suppressor Diode, 1500W, 12.2V V(RWM), Unidirectional, 1 Element, Silicon,
JAN1N6147US	SEMTECH	获取价格	Trans Voltage Suppressor Diode, 1500W, 12.2V V(RWM), Unidirectional, 1 Element, Silicon,
JAN1N6148	MICROSEMI	获取价格	BIDIRECTIONAL TRANSIENT SUPPRESSORS
JAN1N6148A	MICROSEMI	获取价格	BIDIRECTIONAL TRANSIENT SUPPRESSORS