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JAN1N5551 PDF预览

JAN1N5551

更新时间： 2024-11-08 20:31:23
品牌 Logo 应用领域
VMI 局域网二极管
页数 文件大小 规格书
2页 101K
描述
Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 5A, 400V V(RRM), Silicon

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JAN1N5551 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Obsolete
包装说明：E-LALF-W2Reach Compliance Code：unknown
HTS代码：8541.10.00.80风险等级：5.14
应用：GENERAL PURPOSE外壳连接：ISOLATED
配置：SINGLE二极管元件材料：SILICON
二极管类型：RECTIFIER DIODE最大正向电压 (VF)：1.2 V
JESD-30 代码：E-LALF-W2JESD-609代码：e0
最大非重复峰值正向电流：150 A元件数量：1
相数：1端子数量：2
最高工作温度：175 °C最大输出电流：5 A
封装主体材料：GLASS封装形状：ELLIPTICAL
封装形式：LONG FORM峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
认证状态：Not Qualified参考标准：MIL-19500/420
最大重复峰值反向电压：400 V最大反向恢复时间：2 µs
子类别：Rectifier Diodes表面贴装：NO
端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)端子形式：WIRE
端子位置：AXIAL处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
Base Number Matches：1

JAN1N5551 数据手册

 浏览型号JAN1N5551的Datasheet PDF文件第2页 
200 V - 1,000 V Rectifiers  
1N5550 1N5551  
1N5552 1N5553  
1N5554  
5.0 A Forward Current  
2000 ns Recovery Time  
AXIAL LEADED  
HERMETICALLY SEALED  
MIL-PRF-19500/420  
3
JAN JANTX JANTXV  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS AND MAXIMUM RATINGS  
Part  
Working  
Average  
Rectified  
Current  
Reverse  
Current  
@ Vrwm  
Forward  
Voltage  
1 Cycle Repetitive Reverse  
Thermal  
Junction  
Cap.  
@50VDC  
@ 1kHZ  
(Cj)  
Number Reverse  
Voltage  
Surge  
Current  
tp=8.3ms  
(Ifsm)  
Surge  
Current  
Recovery  
Time  
(3)  
Impedance  
u
J-L  
(Vrwm)  
(Io)  
(Ir)  
(Vf)  
(Ifrm)  
25°C  
(Trr)  
55°C(1) 100°C(2) 25°C 100°C  
25°C  
25°C  
25°C  
ns  
L=.125 L=.375 L=.500  
25°C  
pF  
Volts  
Amps  
Amps  
µA  
µA  
Volts Amps  
Amps  
Amps  
°C/W  
°C/W  
°C/W  
200  
400  
5.0  
5.0  
2.0  
2.0  
1.0  
1.0  
25  
25  
1.2  
1.2  
9.0  
9.0  
150  
150  
25  
25  
2000  
2000  
9
9
20  
20  
25  
25  
35  
35  
1N5550  
1N5551  
600  
800  
5.0  
5.0  
2.0  
2.0  
1.0  
1.0  
25  
25  
1.2  
1.3  
9.0  
9.0  
150  
150  
25  
25  
2000  
2000  
9
9
20  
20  
25  
25  
35  
35  
1N5552  
1N5553  
1N5554  
1000  
5.0  
2.0  
1.0  
25  
1.3  
9.0  
150  
25  
2000  
9
20  
25  
35  
(1)TL=55°C L=0.375" (2)TL=100°C L=0.375" (3)If=0.5A, Ir=1.0A, Irr=0.25A • Op.Temp.= -65°C to +175°C Stg.Temp.= -65°C to +200°C  
.180(4.57)  
.115(2.92)  
.185(4.7)  
MAX.  
1.30(33.02)  
.90(22.86)  
.042(1.07)  
.037(.939)  
Dimensions: In. (mm) • All temperatures are ambient unless otherwise noted. • Data subject to change without notice.  
VOLTAGE MULTIPLIERS INC.  
8711 W. Roosevelt Ave.  
Visalia, CA 93291  
TEL  
FAX  
559-651-1402  
559-651-0740  
www.voltagemultipliers.com  
55  
12

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与JAN1N5551相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
JAN1N5551E3 MICROSEMI

获取价格

 		DIODE 3 A, 400 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, ROHS COMPLIANT, HERMETIC SEALED, GLASS, B PACK
JAN1N5551US SEMTECH

获取价格

 		Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 3A, 400V V(RRM), Silicon, GLASS PACKAGE-2
JAN1N5551US SENSITRON

获取价格

 		Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 3A, 400V V(RRM), Silicon, MELF-B, 2 PIN
JAN1N5551US MICROSEMI

获取价格

 		Rectifier Diode, Avalanche, 1 Phase, 1 Element, 3A, 400V V(RRM), Silicon, HERMETIC SEALED,
JAN1N5552 VMI

获取价格

 		Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 5A, 600V V(RRM), Silicon,
JAN1N5552 MICROSEMI

获取价格

 		RECTIFIERS MILITARY APPROVED, 5 AMP, GENERAL PURPOSE
JAN1N5552 SEMTECH

获取价格

 		Rectifier Diode, Avalanche, 1 Phase, 1 Element, 3A, 600V V(RRM), Silicon, HERMETIC SEALED,
JAN1N5552 SENSITRON

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 		Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 3A, 600V V(RRM), Silicon, AXIAL PACKAGE-2
JAN1N5552E3 MICROSEMI

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 		DIODE 3 A, 600 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, ROHS COMPLIANT, HERMETIC SEALED, GLASS, B PACK
JAN1N5552US MICROSEMI

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