Datasheet > JAN1N5550

JAN1N5550

更新时间： 2024-11-15 20:31:23

品牌	Logo	应用领域
VMI		二极管
页数	文件大小	规格书
2页	101K
描述
Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 5A, 200V V(RRM), Silicon

阅读下载

中文翻译

获取价格

技术参数
数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

JAN1N5550 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
包装说明：	E-LALF-W2	Reach Compliance Code：	unknown
HTS代码：	8541.10.00.80	风险等级：	5.1
应用：	GENERAL PURPOSE	外壳连接：	ISOLATED
配置：	SINGLE	二极管元件材料：	SILICON
二极管类型：	RECTIFIER DIODE	最大正向电压 (VF)：	1.2 V
JESD-30 代码：	E-LALF-W2	JESD-609代码：	e0
最大非重复峰值正向电流：	150 A	元件数量：	1
相数：	1	端子数量：	2
最高工作温度：	175 °C	最大输出电流：	5 A
封装主体材料：	GLASS	封装形状：	ELLIPTICAL
封装形式：	LONG FORM	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
认证状态：	Not Qualified	参考标准：	MIL-19500/420
最大重复峰值反向电压：	200 V	最大反向恢复时间：	2 µs
子类别：	Rectifier Diodes	表面贴装：	NO
端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)	端子形式：	WIRE
端子位置：	AXIAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
Base Number Matches：	1

JAN1N5550 数据手册

200 V - 1,000 V Rectifiers

1N5550 1N5551

1N5552 1N5553

1N5554

5.0 A Forward Current

2000 ns Recovery Time

AXIAL LEADED

HERMETICALLY SEALED

MIL-PRF-19500/420

JAN JANTX JANTXV

ELECTRICAL CHARACTERISTICS AND MAXIMUM RATINGS

Part

Working

Average

Rectified

Current

Reverse

Current

@ Vrwm

Forward

Voltage

1 Cycle Repetitive Reverse

Thermal

Junction

Cap.

@50VDC

@ 1kHZ

(Cj)

Number Reverse

Voltage

Surge

Current

tp=8.3ms

(Ifsm)

Surge

Current

Recovery

Time

(3)

Impedance

J-L

(Vrwm)

(Io)

(Ir)

(Vf)

(Ifrm)

25°C

(Trr)

55°C(1) 100°C(2) 25°C 100°C

25°C

L=.125 L=.375 L=.500

25°C

Volts

Amps

µA

Volts Amps

Amps

°C/W

200

400

5.0

2.0

1.0

1.2

9.0

150

2000

1N5550

1N5551

600

800

5.0

2.0

1.0

1.2

1.3

9.0

150

2000

1N5552

1N5553

1N5554

1000

5.0

2.0

1.0

1.3

9.0

150

2000

(1)TL=55°C L=0.375" (2)TL=100°C L=0.375" (3)If=0.5A, Ir=1.0A, Irr=0.25A • Op.Temp.= -65°C to +175°C Stg.Temp.= -65°C to +200°C

.180(4.57)

.115(2.92)

.185(4.7)

MAX.

1.30(33.02)

.90(22.86)

.042(1.07)

.037(.939)

Dimensions: In. (mm) • All temperatures are ambient unless otherwise noted. • Data subject to change without notice.

VOLTAGE MULTIPLIERS INC.

8711 W. Roosevelt Ave.

Visalia, CA 93291

TEL

FAX

559-651-1402

559-651-0740

www.voltagemultipliers.com

中文翻译

下载PDF

与JAN1N5550相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
JAN1N5550E3	MICROSEMI	获取价格	DIODE 3 A, 200 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, ROHS COMPLIANT, HERMETIC SEALED, GLASS, B PACK
JAN1N5550US	SENSITRON	获取价格	Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 3A, 200V V(RRM), Silicon, MELF-B, 2 PIN
JAN1N5550US	MICROSEMI	获取价格	Rectifier Diode, Avalanche, 1 Phase, 1 Element, 3A, 200V V(RRM), Silicon, HERMETIC SEALED,
JAN1N5551	SEMTECH	获取价格	Rectifier Diode, Avalanche, 1 Phase, 1 Element, 3A, 400V V(RRM), Silicon, HERMETIC SEALED,
JAN1N5551	VMI	获取价格	Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 5A, 400V V(RRM), Silicon
JAN1N5551	MICROSEMI	获取价格	RECTIFIERS MILITARY APPROVED, 5 AMP, GENERAL PURPOSE
JAN1N5551E3	MICROSEMI	获取价格	DIODE 3 A, 400 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, ROHS COMPLIANT, HERMETIC SEALED, GLASS, B PACK
JAN1N5551US	SEMTECH	获取价格	Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 3A, 400V V(RRM), Silicon, GLASS PACKAGE-2
JAN1N5551US	SENSITRON	获取价格	Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 3A, 400V V(RRM), Silicon, MELF-B, 2 PIN
JAN1N5551US	MICROSEMI	获取价格	Rectifier Diode, Avalanche, 1 Phase, 1 Element, 3A, 400V V(RRM), Silicon, HERMETIC SEALED,

与JAN1N5550相关文章

解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
2024-11-18

6
英伟达新一代Blackwell GPU过热问题致交付延迟
2024-11-18

3
国产厂商思特威CMOS图像传感器芯片单月出货超1亿颗，技术创新引领行业发展
2024-11-14

29
台积电5nm和3nm产能利用率达100%，半导体行业景气度持续攀升
2024-11-14

12

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

JAN1N5550

JAN1N5550 技术参数

JAN1N5550 数据手册

与JAN1N5550相关器件

与JAN1N5550相关文章

您还可以找

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

JAN1N5550

JAN1N5550 技术参数

JAN1N5550 数据手册

与JAN1N5550相关器件

与JAN1N5550相关文章

您还可以找

您在本页遇到什么问题？