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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Active |
| 包装说明： | O-XALF-W2 | Reach Compliance Code： | compliant |
| ECCN代码： | EAR99 | HTS代码： | 8541.10.00.80 |
| 风险等级： | 1.68 | 应用： | POWER |
| 外壳连接： | ISOLATED | 配置： | SINGLE |
| 二极管元件材料： | SILICON | 二极管类型： | RECTIFIER DIODE |
| JESD-30 代码： | O-XALF-W2 | JESD-609代码： | e0 |
| 最大非重复峰值正向电流： | 100 A | 元件数量： | 1 |
| 相数： | 1 | 端子数量： | 2 |
| 最大输出电流： | 5 A | 封装主体材料： | UNSPECIFIED |
| 封装形状： | ROUND | 封装形式： | LONG FORM |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 认证状态： | Qualified |
| 参考标准： | MIL-19500/420G | 最大重复峰值反向电压： | 200 V |
| 表面贴装： | NO | 技术： | AVALANCHE |
| 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) | 端子形式： | WIRE |
| 端子位置： | AXIAL | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
| 3SM2 | SEMTECH |
功能相似  |
Axial Leaded Hermetically Sealed Standard Recovery Rectifier Diode |
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| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| JAN1N5550E3 | MICROSEMI |
获取价格 |
DIODE 3 A, 200 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, ROHS COMPLIANT, HERMETIC SEALED, GLASS, B PACK |
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| JAN1N5550US | SENSITRON |
获取价格 |
Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 3A, 200V V(RRM), Silicon, MELF-B, 2 PIN |
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| JAN1N5550US | MICROSEMI |
获取价格 |
Rectifier Diode, Avalanche, 1 Phase, 1 Element, 3A, 200V V(RRM), Silicon, HERMETIC SEALED, |
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| JAN1N5551 | SEMTECH |
获取价格 |
Rectifier Diode, Avalanche, 1 Phase, 1 Element, 3A, 400V V(RRM), Silicon, HERMETIC SEALED, |
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| JAN1N5551 | VMI |
获取价格 |
Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 5A, 400V V(RRM), Silicon |
|
| JAN1N5551 | MICROSEMI |
获取价格 |
RECTIFIERS MILITARY APPROVED, 5 AMP, GENERAL PURPOSE |
|
| JAN1N5551E3 | MICROSEMI |
获取价格 |
DIODE 3 A, 400 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, ROHS COMPLIANT, HERMETIC SEALED, GLASS, B PACK |
|
| JAN1N5551US | SEMTECH |
获取价格 |
Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 3A, 400V V(RRM), Silicon, GLASS PACKAGE-2 |
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| JAN1N5551US | SENSITRON |
获取价格 |
Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 3A, 400V V(RRM), Silicon, MELF-B, 2 PIN |
|
| JAN1N5551US | MICROSEMI |
获取价格 |
Rectifier Diode, Avalanche, 1 Phase, 1 Element, 3A, 400V V(RRM), Silicon, HERMETIC SEALED, |
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