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JAN1526BJ

更新时间： 2024-11-25 22:05:11

品牌	Logo	应用领域
美高森美 - MICROSEMI		稳压器开关式稳压器或控制器电源电路开关式控制器脉冲
页数	文件大小	规格书
9页	212K
描述
REGULATING PULSE WIDTH MODULATOR

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JAN1526BJ 技术参数

是否无铅：	含铅	是否Rohs认证：	不符合
生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	DIP
包装说明：	HERMETIC SEALED, CERAMIC, DIP-18	针数：	18
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8542.39.00.01	风险等级：	5.85
Is Samacsys：	N	模拟集成电路 - 其他类型：	SWITCHING CONTROLLER
控制模式：	VOLTAGE-MODE	控制技术：	PULSE WIDTH MODULATION
最大输入电压：	35 V	最小输入电压：	8 V
标称输入电压：	15 V	JESD-30 代码：	R-GDIP-T18
JESD-609代码：	e0	功能数量：	1
端子数量：	18	最高工作温度：	125 °C
最低工作温度：	-55 °C	最大输出电流：	0.2 A
封装主体材料：	CERAMIC, GLASS-SEALED	封装代码：	DIP
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	IN-LINE
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	认证状态：	Not Qualified
筛选级别：	MIL-M-38510	座面最大高度：	5.08 mm
表面贴装：	NO	切换器配置：	PUSH-PULL
最大切换频率：	500 kHz	温度等级：	MILITARY
端子面层：	TIN LEAD	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子节距：	2.54 mm	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	宽度：	7.62 mm
Base Number Matches：	1

JAN1526BJ 数据手册

SG1526B/SG2526B/SG3526B

REGULATING PULSE WIDTH MODULATOR

DESCRIPTION

FEATURES

• 8 to 35 volt operation

The SG1526B is a high-performance pulse width modulator for switching

power supplies which offers improved functional and electrical characteris-

tics over the industry-standard SG1526. A direct pin-for-pin replacement for

the earlier device with all its features, it incorporates the following enhance-

ments: a bandgap reference circuit for improved regulation and drift

characteristics, improved undervoltage lockout, lower temperature coeffi-

cients on oscillator frequency and current-sense threshold, tighter toler-

ance on softstart time, much faster SHUTDOWN response, improved

double-pulse supperession logic for higher speed operation, and an im-

proved output driver design with low shoot-through current, and faster rise

and fall times. This versatile device can be used to implement single-ended

or push-pull switching regulators of either polarity, both transformer-less

and transformer-coupled. The SG1526B is specified for operation over the

full military ambient temperature range of -55°C to 150°C. The SG2526B

ischaracterizedfortheindustrialrangeof-25°Cto150°C, andtheSG3526B

is designed for the commercial range of 0°C to 125°C.

• 5V low drift 1% bandgap reference

• 1Hz to 500KHz oscillator range

• Dual 100mA source/sink

• Digital current limiting

• Double pulse suppression

• Programmable deadtime

• Improved undervoltage lockout

• Single pulse metering

• Programmable soft-start

• Wide current limit common mode range

• TTL/CMOS compatible logic ports

• Symmetry correction capability

• Guaranteed 6 unit synchronization

• Shoot thru currents less than 100mA

• Improved shutdown delay

• Improved rise and fall time

HIGH RELIABILITY FEATURES - SG1526B

♦ Available to MIL-STD-883

♦ MIL-M38510/12603BVA - JAN1526BJ

♦ Radiation data available

♦ LMI level "S" processing available

BLOCK DIAGRAM

V_REF

+V_C

Reference

Regulator

Undervoltage

Lockout

+V_IN

GROUND

To Internal

Circuitry

R_D

R_T

SYNC

Oscillator

OUTPUT A

C_T

RESET

Soft

Start

C_SOFTSTART

COMPENSATION

+V_IN

Amp

MEMORY

F/F

TOGGLE

F/F

+ ERROR

— ERROR

OUTPUT B

METERING

F/F

+ C.S.

— C.S.

SHUTDOWN

4/90 Rev 1.1 2/94

LINFINITY Microelectronics Inc.

11861 Western Avenue ∞ Garden Grove, CA 92841

(714) 898-8121 ∞ FAX: (714) 893-2570

12 3 4 5 6 7...9

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与JAN1526BJ相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
JAN1527AJ	MICROSEMI	获取价格	REGULATING PULSE WIDTH MODULATOR
JAN1N1124A	MICROSEMI	获取价格	Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 3.3A, 200V V(RRM), Silicon, DO-203AA, METAL, DO-4, 1
JAN1N1124R	MICROSEMI	获取价格	Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 3.3A, 200V V(RRM), Silicon, DO-203AA, METAL GLASS, DO
JAN1N1124RA	MICROSEMI	获取价格	Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 3.3A, 200V V(RRM), Silicon, DO-203AA, METAL, DO-4, 1
JAN1N1126A	MICROSEMI	获取价格	Silicon Power Rectifier
JAN1N1126RA	MICROSEMI	获取价格	Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 3.3A, 400V V(RRM), Silicon, DO-203AA, METAL, DO-4, 1
JAN1N1128A	MICROSEMI	获取价格	Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 3.3A, 600V V(RRM), Silicon, DO-203AA, METAL, DO-4, 1
JAN1N1128R	MICROSEMI	获取价格	Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 3.3A, 600V V(RRM), Silicon, DO-203AA, METAL GLASS, DO
JAN1N1128RA	MICROSEMI	获取价格	Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 3.3A, 600V V(RRM), Silicon, DO-203AA, METAL, DO-4, 1
JAN1N1184	MICROSEMI	获取价格	Military Silicon Power Rectifier

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