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| 生命周期： | Obsolete | 零件包装代码： | DO-4 |
| 包装说明： | O-MUPM-D1 | 针数： | 1 |
| Reach Compliance Code： | compliant | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8541.10.00.80 | 风险等级： | 5.33 |
| 应用： | POWER | 外壳连接： | ANODE |
| 配置： | SINGLE | 二极管元件材料： | SILICON |
| 二极管类型： | RECTIFIER DIODE | JEDEC-95代码： | DO-203AA |
| JESD-30 代码： | O-MUPM-D1 | 最大非重复峰值正向电流： | 25 A |
| 元件数量： | 1 | 相数： | 1 |
| 端子数量： | 1 | 最大输出电流： | 3.3 A |
| 封装主体材料： | METAL | 封装形状： | ROUND |
| 封装形式： | POST/STUD MOUNT | 认证状态： | Not Qualified |
| 参考标准： | MIL-19500/260 | 最大重复峰值反向电压： | 200 V |
| 最大反向恢复时间： | 0.5 µs | 表面贴装： | NO |
| 端子形式： | SOLDER LUG | 端子位置： | UPPER |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| JAN1N1124RA | MICROSEMI |
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Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 3.3A, 200V V(RRM), Silicon, DO-203AA, METAL, DO-4, 1 |
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| JAN1N1126A | MICROSEMI |
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Silicon Power Rectifier |
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| JAN1N1126RA | MICROSEMI |
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Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 3.3A, 400V V(RRM), Silicon, DO-203AA, METAL, DO-4, 1 |
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| JAN1N1128A | MICROSEMI |
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Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 3.3A, 600V V(RRM), Silicon, DO-203AA, METAL, DO-4, 1 |
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| JAN1N1128R | MICROSEMI |
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Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 3.3A, 600V V(RRM), Silicon, DO-203AA, METAL GLASS, DO |
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| JAN1N1128RA | MICROSEMI |
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Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 3.3A, 600V V(RRM), Silicon, DO-203AA, METAL, DO-4, 1 |
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| JAN1N1184 | MICROSEMI |
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Military Silicon Power Rectifier |
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| JAN1N1184R | MICROSEMI |
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Military Silicon Power Rectifier |
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| JAN1N1186 | MICROSEMI |
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Military Silicon Power Rectifier |
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| JAN1N1186R | MICROSEMI |
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Military Silicon Power Rectifier |
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