5秒后页面跳转
捷配首页

Datasheet > JAN1N1124RA
JAN1N1124RA PDF预览

JAN1N1124RA

更新时间： 2024-11-22 10:12:07
品牌 Logo 应用领域
美高森美 - MICROSEMI /
页数 文件大小 规格书
3页 59K
描述
Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 3.3A, 200V V(RRM), Silicon, DO-203AA, METAL, DO-4, 1 PIN

阅读下载

中文翻译

获取价格

JAN1N1124RA 数据手册

 浏览型号JAN1N1124RA的Datasheet PDF文件第2页浏览型号JAN1N1124RA的Datasheet PDF文件第3页 
TECHNICAL DATA SHEET  
6 Lake Street, Lawrence, MA 01841  
1-800-446-1158 / (978) 620-2600 / Fax: (978) 689-0803  
Website: http://www.microsemi.com  
HIGH RELIABILITY POWER RECTIFIER  
Qualified per MIL-PRF-19500/260  
• Glass Passivated Die  
• Glass to Metal Seal Construction  
• 25 Amps Surge Rating • VRRM to 1000 Volts  
DEVICES  
LEVELS  
1N1124A  
1N1126A  
1N1128A  
1N1124RA  
1N1126RA  
1N1128RA  
1N3649  
1N3650  
1N3649R  
1N3650R  
JAN  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TC = +25°C unless otherwise noted)  
Parameters / Test Conditions  
Symbol  
Value  
Unit  
1N1124A  
1N1124RA  
1N1126RA  
1N1128RA  
1N3649R  
200  
400  
600  
Peak Repetitive Reverse Voltage  
1N1126A  
1N1128A  
1N3649  
VRWM  
V
800  
1N3650  
1N3650R  
1000  
Average Forward Current, TC = 150°  
IF  
3.3  
25  
A
A
Peak Surge Forward Current @ tp = 8.3ms, half sinewave,  
TC = 150°C, T = 1/120s  
IFSM  
Thermal Resistance, Junction to Case  
Operating Case Temperature Range  
Storage Temperature Range  
2.0  
°C/W  
°C  
Rθjc  
TC  
-65°C to 150°C  
-65°C to 200°C  
DO-203AA(DO-4)  
Tstg  
°C  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (TA = +25°C, unless otherwise noted)  
Parameters / Test Conditions  
Symbol  
Min.  
Max.  
Unit  
Forward Voltage  
IF = 10A, Tj = 25°C*  
VF  
2.2  
V
Reverse Current  
VR = 200, Tj = 25°C  
VR = 400, Tj = 25°C  
VR = 600, Tj = 25°C  
VR = 800, Tj = 25°C  
VR = 1000, Tj = 25°C  
1N1124A  
1N1126A  
1N1128A  
1N3649  
1N1124RA  
1N1126RA  
1N1128RA  
1N3649R  
IR  
5
μA  
μA  
1N3650  
1N3650R  
Reverse Current  
VR = 200, Tj = 150°C  
VR = 400, Tj = 150°C  
VR = 600, Tj = 150°C  
VR = 800, Tj = 150°C  
VR = 1000, Tj = 150°C  
1N1124A  
1N1126A  
1N1128A  
1N3649  
1N1124RA  
1N1126RA  
1N1128RA  
1N3649R  
IR  
200  
1N3650  
1N3650R  
* Pulse test: Pulse width 300 µsec, Duty cycle 2%  
Note:  
T4-LDS-0135 Rev. 1 (091678)  
Page 1 of 3  
123

中文翻译

下载PDF

JAN1N1124RA 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
1N1583 MICROSEMI

类似代替

 SILICON POWER RECTIFIER
JAN1N1124A MICROSEMI

功能相似

 Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 3.3A, 200V V(RRM), Silicon, DO-203AA, METAL, DO-4, 1
1N1124RA MICROSEMI

功能相似

 MILITARY SILICON POWER RECTIFIER

与JAN1N1124RA相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
JAN1N1126A MICROSEMI

获取价格

 		Silicon Power Rectifier
JAN1N1126RA MICROSEMI

获取价格

 		Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 3.3A, 400V V(RRM), Silicon, DO-203AA, METAL, DO-4, 1
JAN1N1128A MICROSEMI

获取价格

 		Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 3.3A, 600V V(RRM), Silicon, DO-203AA, METAL, DO-4, 1
JAN1N1128R MICROSEMI

获取价格

 		Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 3.3A, 600V V(RRM), Silicon, DO-203AA, METAL GLASS, DO
JAN1N1128RA MICROSEMI

获取价格

 		Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 3.3A, 600V V(RRM), Silicon, DO-203AA, METAL, DO-4, 1
JAN1N1184 MICROSEMI

获取价格

 		Military Silicon Power Rectifier
JAN1N1184R MICROSEMI

获取价格

 		Military Silicon Power Rectifier
JAN1N1186 MICROSEMI

获取价格

 		Military Silicon Power Rectifier
JAN1N1186R MICROSEMI

获取价格

 		Military Silicon Power Rectifier
JAN1N1188 MICROSEMI

获取价格

 		Military Silicon Power Rectifier

与JAN1N1124RA相关文章

您还可以找


热门产品
PCB打样/小批量
铝基板
BOM智能配单
PCBA制造
钣金
精密CNC
模具注塑
薄膜开关
精选活动
PCBA打样特惠
四六层板品质升级
铝基板品质升级
一体化电子制造
DFM下载
服务支持
企业认证
产品展示
工厂展示
工艺能力
积分商城
关于捷配
捷配简介
企业文化
公司动态
人才招聘
联系我们
帮助中心
下单流程
付款流程
开票流程
常见问题
全球PCB制造服务专线 400-613-0088

工作时间：9:00-21:00

CEO邮箱：ceo@jiepei.com

投诉邮箱：tousu@jiepei.com

捷配网-微信公众号 微信公众号
捷配网-微信公众号 抖音公众号
资质认证：
合作快递：
支付方式：
Copyright © 2024 Jiepei.com Inc. All Rights Reserved. 版权所有:杭州捷配信息科技有限公司 浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119 营业执照ICP证