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JAN1N1124RA

更新时间： 2024-10-01 10:12:07

品牌	Logo	应用领域
美高森美 - MICROSEMI		/
页数	文件大小	规格书
3页	59K
描述
Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 3.3A, 200V V(RRM), Silicon, DO-203AA, METAL, DO-4, 1 PIN

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JAN1N1124RA 数据手册

TECHNICAL DATA SHEET

6 Lake Street, Lawrence, MA 01841

1-800-446-1158 / (978) 620-2600 / Fax: (978) 689-0803

Website: http://www.microsemi.com

HIGH RELIABILITY POWER RECTIFIER

Qualified per MIL-PRF-19500/260

• Glass Passivated Die

• Glass to Metal Seal Construction

• 25 Amps Surge Rating • VRRM to 1000 Volts

DEVICES

LEVELS

1N1124A

1N1126A

1N1128A

1N1124RA

1N1126RA

1N1128RA

1N3649

1N3650

1N3649R

1N3650R

JAN

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T_C= +25°C unless otherwise noted)

Parameters / Test Conditions

Symbol

Value

Unit

1N1124A

1N1124RA

1N1126RA

1N1128RA

1N3649R

200

400

600

Peak Repetitive Reverse Voltage

1N1126A

1N1128A

1N3649

V_RWM

800

1N3650

1N3650R

1000

Average Forward Current, T_C= 150°

I_F

3.3

Peak Surge Forward Current @ t_p= 8.3ms, half sinewave,

T_C= 150°C, T = 1/120s

I_FSM

Thermal Resistance, Junction to Case

Operating Case Temperature Range

Storage Temperature Range

2.0

°C/W

°C

R_θjc

T_C

-65°C to 150°C

-65°C to 200°C

DO-203AA(DO-4)

T_stg

°C

ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T_A= +25°C, unless otherwise noted)

Parameters / Test Conditions

Symbol

Min.

Max.

Unit

Forward Voltage

I_F= 10A, T_j= 25°C*

V_F

2.2

Reverse Current

V_R= 200, T_j= 25°C

V_R= 400, T_j= 25°C

V_R= 600, T_j= 25°C

V_R= 800, T_j= 25°C

V_R= 1000, T_j= 25°C

1N1124A

1N1126A

1N1128A

1N3649

1N1124RA

1N1126RA

1N1128RA

1N3649R

I_R

μA

1N3650

1N3650R

Reverse Current

V_R= 200, T_j= 150°C

V_R= 400, T_j= 150°C

V_R= 600, T_j= 150°C

V_R= 800, T_j= 150°C

V_R= 1000, T_j= 150°C

1N1124A

1N1126A

1N1128A

1N3649

1N1124RA

1N1126RA

1N1128RA

1N3649R

I_R

200

1N3650

1N3650R

* Pulse test: Pulse width 300 µsec, Duty cycle 2%

Note:

T4-LDS-0135 Rev. 1 (091678)

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12 3

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JAN1N1124RA 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
1N1583	MICROSEMI	类似代替	SILICON POWER RECTIFIER
JAN1N1124A	MICROSEMI	功能相似	Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 3.3A, 200V V(RRM), Silicon, DO-203AA, METAL, DO-4, 1
1N1124RA	MICROSEMI	功能相似	MILITARY SILICON POWER RECTIFIER

与JAN1N1124RA相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
JAN1N1126A	MICROSEMI	获取价格	Silicon Power Rectifier
JAN1N1126RA	MICROSEMI	获取价格	Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 3.3A, 400V V(RRM), Silicon, DO-203AA, METAL, DO-4, 1
JAN1N1128A	MICROSEMI	获取价格	Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 3.3A, 600V V(RRM), Silicon, DO-203AA, METAL, DO-4, 1
JAN1N1128R	MICROSEMI	获取价格	Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 3.3A, 600V V(RRM), Silicon, DO-203AA, METAL GLASS, DO
JAN1N1128RA	MICROSEMI	获取价格	Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 3.3A, 600V V(RRM), Silicon, DO-203AA, METAL, DO-4, 1
JAN1N1184	MICROSEMI	获取价格	Military Silicon Power Rectifier
JAN1N1184R	MICROSEMI	获取价格	Military Silicon Power Rectifier
JAN1N1186	MICROSEMI	获取价格	Military Silicon Power Rectifier
JAN1N1186R	MICROSEMI	获取价格	Military Silicon Power Rectifier
JAN1N1188	MICROSEMI	获取价格	Military Silicon Power Rectifier

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