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| 是否无铅： | 含铅 | 是否Rohs认证： | 不符合 |
| 生命周期： | Active | 零件包装代码： | DO-5 |
| 包装说明： | O-MUPM-D1 | 针数： | 1 |
| Reach Compliance Code： | compliant | HTS代码： | 8541.10.00.80 |
| 风险等级： | 5.27 | Is Samacsys： | N |
| 应用： | POWER | 外壳连接： | CATHODE |
| 配置： | SINGLE | 二极管元件材料： | SILICON |
| 二极管类型： | RECTIFIER DIODE | JEDEC-95代码： | DO-203AB |
| JESD-30 代码： | O-MUPM-D1 | JESD-609代码： | e0 |
| 最大非重复峰值正向电流： | 500 A | 元件数量： | 1 |
| 相数： | 1 | 端子数量： | 1 |
| 最高工作温度： | 175 °C | 最低工作温度： | -65 °C |
| 最大输出电流： | 35 A | 封装主体材料： | METAL |
| 封装形状： | ROUND | 封装形式： | POST/STUD MOUNT |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 认证状态： | Qualified |
| 参考标准： | MIL-19500/297 | 最大重复峰值反向电压： | 400 V |
| 最大反向恢复时间： | 5 µs | 表面贴装： | NO |
| 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) | 端子形式： | SOLDER LUG |
| 端子位置： | UPPER | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
| JANTXV1N1188 | MICROSEMI |
功能相似  |
Military Silicon Power Rectifier |
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| JANTX1N1188 | MICROSEMI |
功能相似 |
Military Silicon Power Rectifier |
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| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| JAN1N1188R | MICROSEMI |
获取价格 |
Military Silicon Power Rectifier |
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| JAN1N1190 | MICROSEMI |
获取价格 |
Military Silicon Power Rectifier |
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| JAN1N1190R | MICROSEMI |
获取价格 |
Military Silicon Power Rectifier |
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| JAN1N1199A | VISHAY |
获取价格 |
Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 12A, 50V V(RRM), Silicon, DO-203AA, DO-4, 1 PIN |
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| JAN1N1199RA | VISHAY |
获取价格 |
Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 12A, 50V V(RRM), Silicon, DO-203AA, DO-4, 1 PIN |
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| JAN1N1200RA | INFINEON |
获取价格 |
Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 12A, 100V V(RRM), Silicon, DO-203AA, DO-4, 1 PIN |
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| JAN1N1200RA | VISHAY |
获取价格 |
Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 12A, 100V V(RRM), Silicon, DO-203AA, DO-4, 1 PIN |
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| JAN1N1201RA | VISHAY |
获取价格 |
Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 12A, 150V V(RRM), Silicon, DO-203AA, DO-4, 1 PIN |
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| JAN1N1202A | MICROSEMI |
获取价格 |
Military Silicon Power Rectifier |
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| JAN1N1202A | VISHAY |
获取价格 |
Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 12A, 200V V(RRM), Silicon, DO-203AA, DO-4, 1 PIN |
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