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IXTH76N25T

更新时间： 2024-02-21 15:53:53

品牌	Logo	应用领域
力特 - LITTELFUSE		栅
页数	文件大小	规格书
8页	312K
描述
沟槽栅功率MOSFET适用于低电压/高电流应用，所需的RDS(ON)极低，因此确保了非常低的功率耗损。再结合广泛的工作结温范围（从-40 °C到175 °C），这些产品非常适合汽车应用以及其他处

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IXTH76N25T 数据手册

IXTA76N25T IXTP76N25T

IXTQ76N25T IXTH76N25T

Fig. 13. Resistive Turn-on Rise Time vs.

Junction Temperature

Fig. 14. Resistive Turn-on Rise Time vs.

Drain Current

R_G= 3.3ꢀ , V_GS= 15V

V_DS= 125V

T_J= 25ºC

I _D= 76A

R_G= 3.3Ω , V_GS= 15V

V_DS= 125V

I _D= 38A

T_J= 125ºC

105

115

125

T _J- Degrees Centigrade

I_D- Amperes

Fig. 15. Resistive Turn-on Switching Times vs.

Gate Resistance

Fig. 16. Resistive Turn-off Switching Times vs.

Junction Temperature

t_r

T_J= 125ºC, V_GS= 15V

_DS= 125V

t_d(on)

- - - -

I _D= 38A

I _D= 76A

t _f

t_d(off)

- - - -

R_G= 3.3ꢀ, V_GS= 15V

V_DS= 125V

105

115

125

R_G- Ohms

T_J- Degrees Centigrade

Fig. 18. Resistive Turn-off Switching Times vs.

Gate Resistance

Fig. 17. Resistive Turn-off Switching Times vs.

Drain Current

190

T_J= 25ºC

t_f

t_d(off)

- - - -

170

150

130

110

T_J= 125ºC, V_GS= 15V

V_DS= 125V

T_J= 125ºC

I _D= 38A, 76A

t_f

t_d(off)

- - - -

T_J= 25ºC

R_G= 3.3ꢀ, V_GS= 15V

V_DS= 125V

T_J= 125ºC

R_G- Ohms

I_D- Amperes

IXYS Reserves the Right to Change Limits, Test Conditions, and Dimensions.

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