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IXTH76N25T

更新时间： 2024-02-21 15:53:53

品牌	Logo	应用领域
力特 - LITTELFUSE		栅
页数	文件大小	规格书
8页	312K
描述
沟槽栅功率MOSFET适用于低电压/高电流应用，所需的RDS(ON)极低，因此确保了非常低的功率耗损。再结合广泛的工作结温范围（从-40 °C到175 °C），这些产品非常适合汽车应用以及其他处

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IXTH76N25T 数据手册

IXTA76N25T IXTH76N25T

IXTP76N25T IXTQ76N25T

TO-220 Outline

TO-263 Outline

Pins: 1 - Gate

3 - Source

2 - Drain

1 - Gate

2,4 - Drain

3 - Source

TO-3P Outline

TO-247 Outline

Dim.

Millimeter

Inches

Min. Max.

A₁

A₂

4.7

2.2

5.3

2.54

2.6

.185 .209

.087 .102

.059 .098

P

b₁

b₂

1.0

1.65

2.87

1.4

2.13

3.12

.040 .055

.065 .084

.113 .123

.016 .031

.819 .845

.610 .640

20.80 21.46

15.75 16.26

5.20

5.72 0.205 0.225

19.81 20.32

4.50

.780 .800

.177

P 3.55

3.65

.140 .144

5.89

6.40 0.232 0.252

4.32

6.15 BSC

5.49

.170 .216

242 BSC

Terminals: 1 - Gate

3 - Source

2 - Drain

1 234 5 6 7 8

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