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IXTH76N25T

更新时间： 2024-01-02 08:51:11
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IXYS 栅
页数 文件大小 规格书
6页 213K
描述
Preliminary Technical Information Trench Gate Power MOSFET N-Channel Enhancement Mode

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IXTH76N25T 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Transferred零件包装代码：TO-247AD
包装说明：TO-247, 3 PIN针数：3
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
风险等级：4.57其他特性：AVALANCHE RATED
雪崩能效等级（Eas）：1500 mJ外壳连接：DRAIN
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：250 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：76 A最大漏极电流 (ID)：76 A
最大漏源导通电阻：0.039 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：TO-247ADJESD-30 代码：R-PSFM-T3
JESD-609代码：e1元件数量：1
端子数量：3工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：460 W最大脉冲漏极电流 (IDM)：170 A
认证状态：Not Qualified子类别：FET General Purpose Power
表面贴装：NO端子面层：Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)
端子形式：THROUGH-HOLE端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICON

IXTH76N25T 数据手册

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IXTA76N25T IXTH76N25T  
IXTI76N25T IXTP76N25T IXTQ76N25T  
Symbol  
Test Conditions  
Characteristic Values  
(TJ = 25°C unless otherwise specified)  
Min.  
Typ.  
Max.  
gfs  
VDS= 10V, ID = 0.5 • ID25, Note 1  
VGS = 0V, VDS = 25V, f = 1MHz  
43  
72  
S
Ciss  
Coss  
Crss  
4500  
480  
46  
pF  
pF  
pF  
td(on)  
tr  
td(off)  
tf  
22  
25  
56  
29  
ns  
ns  
ns  
ns  
Resistive Switching Times  
VGS = 15V, VDS = 0.5 • VDSS, ID = 0.5 • ID25  
RG = 3.3Ω (External)  
Qg(on)  
Qgs  
92  
28  
21  
nC  
nC  
nC  
VGS= 10V, VDS = 0.5 • VDSS , ID = 25A  
Qgd  
RthJC  
RthCH  
0.27 °C /W  
°C W  
TO-220  
0.50  
0.21  
TO-3P, TO-247  
°C W  
Source-Drain Diode  
Symbol  
Test Conditions  
Characteristic Values  
(TJ = 25°C unless otherwise specified)  
Min.  
Typ.  
Max.  
IS  
VGS = 0V  
76  
200  
1.5  
A
A
V
ISM  
VSD  
Repetitive, pulse width limited by TJM  
IF = IS, VGS = 0V, Note 1  
trr  
148  
21  
ns  
A
IF = 38A, -di/dt = 250A/μs  
VR = 100V, VGS = 0V  
IRM  
QRM  
1.6  
μC  
Notes: 1: Pulse test, t ≤ 300μs; duty cycle, d ≤ 2%.  
*: Current may be limited by external lead limit.  
PRELIMINARY TECHNICAL INFORMATION  
The product presented herein is under development. The Technical Specifications offered are derived  
from data gathered during objective characterizations of preliminary engineering lots; but also may yet  
contain some information supplied during a pre-production design evaluation. IXYS reserves the right  
to change limits, test conditions, and dimensions without notice.  
IXYS reserves the right to change limits, test conditions, and dimensions.  
IXYS MOSFETs and IGBTs are covered  
by one or moreof the following U.S. patents: 4,850,072 5,017,508  
4,881,106 5,034,796  
4,835,592 4,931,844  
5,049,961  
5,063,307  
5,187,117  
5,237,481  
5,381,025  
5,486,715  
6,162,665  
6,259,123 B1  
6,306,728 B1  
6,404,065 B1 6,683,344  
6,534,343  
6,583,505  
6,727,585  
6,710,405 B2 6,759,692  
6,710,463  
7,005,734 B2 7,157,338B2  
7,063,975 B2  
6,771,478 B2 7,071,537  
123456

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IXTH76N25T 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
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