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IXGH60N60C3D1

更新时间： 2024-02-23 09:10:49

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力特 - LITTELFUSE		开关双极性晶体管
页数	文件大小	规格书
8页	310K
描述
GenX3? IGBT采用我们完善的HDMOS IGBT工艺进行PT（打穿）生产。? 300V? GenX3? IGBT提供高达150 kHz的开关性能，电流范围在42A至120A之间。由于兼具

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IXGH60N60C3D1 数据手册

IXGH60N60C3D1

IXGT60N60C3D1

1000

T_VJ= 100°C

V_R= 300V

T_VJ= 100°C

V_R= 300V

800

I_RM

Q_r

I_F

I_F= 60A

I_F= 30A

I_F= 15A

T_VJ= 150°C

T_VJ= 100°C

T_VJ= 25°C

600

400

200

I_F= 60A

I_F= 30A

I_F= 15A

A/µs

800 1000

3 V

100

1000

200

400

600

A/µs

-di_F/dt

V_F

-di_F/dt

Fig. 21 Forward current I_Fversus V_F

2.0

Fig. 22 Reverse recovery charge Q_r

versus -di_F/dt

Fig. 23 Peak reverse current I_RM

versus -di_F/dt

1.00

T_VJ= 100°C

V_R= 300V

V_FR

µs

t_fr

t_rr

1.5

K_f

0.75

0.50

0.25

0.00

V_FR

I_F= 60A

I_F= 30A

I_F= 15A

T_VJ= 100°C

V_R= 300V

1.0

I_RM

t_fr

0.5

Q_r

0.0

A/µs

800 1000

120

160

200

400

600

-di_F/dt

800 1000

A/µs

200

400

600

°C

di_F/dt

T_VJ

Fig. 25 Recovery time t_rrversus -di_F/dt

Fig. 26 Peak forward voltage V_FRand

t_frversus di_F/dt

Fig. 24 Dynamic parameters Q_r, I_RM

versus T_VJ

K/W

Constants for Z_thJCcalculation:

R_thi(K/W)

t_i(s)

0.1

Z_thJC

0.502

0.193

0.205

0.0052

0.0003

0.0162

0.01

DSEP 29-06

0.001

0.00001

0.0001

0.001

0.01

0.1

Fig. 27 Transient thermal resistance junction to case

IXYS REF: G_60N60C3(6D)01-15-10-E

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