IXFN44N50U3

更新时间： 2024-02-07 01:13:32

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描述
HiPerFET Power MOSFETs

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IXFN44N50U3 数据手册

IXFN44N50U2

IXFN44N50U3

IXFN48N50U2

IXFN48N50U3

Symbol

TestConditions

CharacteristicValues

(T_J= 25°C, unless otherwise specified)

miniBLOC, SOT-227 B

min. typ. max.

V_DSS

V_GS= 0 V, I_D= 1 mA

V_DS= V_GS, I_D= 8 mA

500

V_GS(th)

I_GSS

I_DSS

V_GS= ±20 V_DC, V_DS= 0

±200

V_DS= 0.8 V_DSS

V_GS= 0 V

T_J= 25°C

T_J= 125°C

400

R_DS(on)

V_GS= 10 V, I_D= 0.5 I_D25

44N50

48N50

0.12

0.10

M4 screws (4x) supplied

Dim.

Millimeter

Min. Max.

31.50 31.88 1.240 1.255

Inches

Min.

Max.

Pulse test, t £ 300 ms, duty cycle d £ 2 %

7.80

8.20 0.307 0.323

4.09

4.29 0.161 0.169

Symbol

g_fs

TestConditions

CharacteristicValues

(T_J= 25°C, unless otherwise specified)

4.09

4.29 0.161 0.169

14.91 15.11 0.587 0.595

min. typ. max.

30.12 30.30 1.186 1.193

38.00 38.23 1.496 1.505

V_DS= 10 V, I_D= 0.5 I_D25, pulse test

V_GS= 0 V, V_DS= 25 V, f = 1 MHz

11.68 12.22 0.460 0.481

8.92

9.60 0.351 0.378

0.76

0.84 0.030 0.033

C_iss

C_oss

C_rss

8400

900

12.60 12.85 0.496 0.506

25.15 25.42 0.990 1.001

1.98

2.13 0.078 0.084

280

4.95

5.97 0.195 0.235

26.54 26.90 1.045 1.059

3.94

4.72

4.42 0.155 0.174

4.85 0.186 0.191

t_d(on)

t_r

t_d(off)

t_f

24.59 25.07 0.968 0.987

-0.05 0.1 -0.002 0.004

V_GS= 10 V, V_DS= 0.5 V_DSS, I_D= 0.5 I_D25

R_G= 1 W (External)

100

Q_g(on)

Q_gs

270

V_GS= 10 V, V_DS= 0.5 V_DSS, I_D= 0.5 I_D25

Q_gd

135

R_thJC

R_thCK

0.24

0.05

K/W

Ultra-fast Diode

CharacteristicValues

(T_J= 25°C, unless otherwise specified)

min. typ. max.

Symbol

I_R

TestConditions

T_J= 25°C; V_R= V_RRM

V_R= 0.8V_RRM

200

100

T_J= 125°C; V_R= 0.8V_RRM

14 mA

V_F

I_F= 70A, V_GS= 0 V, T_J= 150°C

1.5

1.8

Pulse test, t £ 300 ms, duty cycle d £ 2 % T_J= 25°C

t_rr

I_I= 1A, di/dt = -200 A/ms, V_R= 30 V, T_J= 25°C

I_F= 60A, di/dt = -480 A/ms, V_R= 350 V, T_J= 100°C

I_RM

R_thJC

R_thJK

0.7 K/W

K/W

0.05

IXYS MOSFETS and IGBTs are covered by one or more of the following U.S. patents:

2 - 5

4,835,592

4,850,072

4,881,106

4,931,844

5,017,508

5,034,796

5,049,961

5,063,307

5,187,117

5,237,481

5,486,715

5,381,025

123 4 5

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IXFN44N50U3 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
IXFN48N50	IXYS	类似代替	HiPerFET Power MOSFETs
IXTN36N50	IXYS	类似代替	N-Channel Enhancement Mode

与IXFN44N50U3相关器件

型号	品牌	描述	获取价格	数据表
IXFN44N60	IXYS	HiPerFET Power MOSFETs Single Die MOSFET	获取价格
IXFN44N60	LITTELFUSE	功能与特色: 应用: 优点:	获取价格
IXFN44N80	IXYS	HiPerFETTM Power MOSFETs Single MOSFET Die	获取价格
IXFN44N80	LITTELFUSE	功能与特色: 应用: 优点:	获取价格
IXFN44N80P	LITTELFUSE	Power Field-Effect Transistor, 39A I(D), 800V, 0.19ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met	获取价格
IXFN44N80P	IXYS	PolarHV HiPerFET Power MOSFET	获取价格